Name: TW092V65C,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW092V65CLQTR-ND
Price: 191.76 CNY
Availability: InStock

TW092V65C,LQ
DigiKey 零件编号	264-TW092V65CLQTR-ND - 卷带（TR） 264-TW092V65CLQCT-ND - 剪切带（CT） 264-TW092V65CLQDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TW092V65C,LQ
描述	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH
原厂标准交货期	24 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 27A（Tc） 111W（Tc） 4-DFN-EP（8x8）
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	136 毫欧 @ 15A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 600µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	28 nC @ 18 V
Vgs（最大值）	+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	873 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	111W（Tc）
工作温度	175°C
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	4-DFN-EP（8x8）
封装/外壳	4-VSFN 祼焊盘

TW092V65C,LQ