Name: TW027U65C,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW027U65CRQTR-ND
Price: 352.14 CNY
Availability: InStock

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TW027U65C,RQ
DigiKey 零件编号	264-TW027U65CRQTR-ND - 卷带（TR） 264-TW027U65CRQCT-ND - 剪切带（CT） 264-TW027U65CRQDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TW027U65C,RQ
描述	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
原厂标准交货期	24 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 57A（Tc） 156W（Tc） TOLL
规格书	规格书

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 3mA
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 65 nC @ 18 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） +25V，-10V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2288 pF @ 400 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 156W（Tc）
技术 SiCFET（碳化硅）	工作温度 175°C
漏源电压（Vdss） 650 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 57A（Tc）	供应商器件封装 TOLL
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V	封装/外壳 8-PowerSFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 40 毫欧 @ 29A，18V