SiCFET(碳化硅) 单 FET,MOSFET

结果 : 581
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesInventchipIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationonsemiQorvoRohm Semiconductor
系列
-C2M™C3M™CoolSiC™CoolSiC™ Gen 2CoolSIC™ M1E SeriesE-SeriesEasyPACK™G2R™G3R™G3R™, LoRing™Z-FET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
650 V700 V750 V900 V1000 V1200 V1700 V3300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A(Tc)3.7A(Tc)4A(Tc)4.6A(Tc)4.7A(Tc)4.9A(Tc)5A(Tc)5.2A(Tc)5.3A(Tc)5.9A(Tc)6A(Tc)6.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,18V12V12V,15V15V15V,18V15V,20V18V18V,20V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.7 毫欧 @ 89.9A,18V8.5 毫欧 @ 146.3A,18V9.9 毫欧 @ 108A,18V10.6 毫欧 @ 90.3A,18V12.2 毫欧 @ 56.7A,18V13 毫欧 @ 100A, 18V14.2 毫欧 @ 60A,12V16 毫欧 @ 80A,20V16.2 毫欧 @ 50A,18V16.9 毫欧 @ 58A,18V17 毫欧 @ 100A,20V17.1 毫欧 @ 40.4A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 2mA2.4V @ 10mA2.4V @ 1mA2.4V @ 1mA(典型值)2.4V @ 4mA2.4V @ 4mA(典型值)2.4V @ 750µA2.5V @ 1mA2.5V @ 500µA2.6V @ 1mA(典型值)2.6V @ 2mA2.69V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5 nC @ 12 V5.3 nC @ 18 V5.9 nC @ 18 V6 nC @ 18 V8 nC @ 12 V8.5 nC @ 18 V9.4 nC @ 18 V9.5 nC @ 15 V9.7 nC @ 18 V10 nC @ 18 V11 nC @ 12 V11 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
-8V,+19V+15V,-4V+15V,-5V±15V+18V,-15V+18V,-5V+18V,-8V+19V,-10V+19V,-8V+20V,-10V+20V,-2V+20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
111 pF @ 1000 V133 pF @ 1000 V139 pF @ 1000 V150 pF @ 600 V170 pF @ 800 V182 pF @ 800 V184 pF @ 800 V184 pF @ 1000 V184 pF @ 1360 V191 pF @ 1000 V196 pF @ 800 V200 pF @ 1000 V
FET 功能
-电流检测耗尽模式
功率耗散(最大值)
313mW(Tj)3.7W(Ta),468W(Tc)3.7W(Ta),477W(Tc)35W(Tc)40.8W(Tc)44W(Tc)50W(Tc)52W(Tc)54W(Tc)57W(Tc)60W(Tc)62.5W(Tc)
工作温度
-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 135°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-TDFN(8x8)8-HPSOF-D2PAK-7D2PAK-7LD2PAK(7-Lead)D3D3PAKH2Pak-2H2PAK-2H2PAK-7HiP247™
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerSFN8-PowerVDFN22-PowerBSOP 模块-D-3 模块SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-247-3TO-247-4TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7(直引线)TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab)TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
581结果
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/ 581
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TO263-7
IMBF170R1K0M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Infineon Technologies
3,002
现货
1 : ¥40.47000
剪切带(CT)
1,000 : ¥20.93436
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
5.2A(Tc)
12V,15V
1000毫欧 @ 1A,15V
5.7V @ 1.1mA
5 nC @ 12 V
+20V,-10V
275 pF @ 1000 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-13
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-3
G2R1000MT17D
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
8,597
现货
1 : ¥44.66000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
5A(Tc)
20V
1.2 欧姆 @ 2A,20V
5.5V @ 500µA
11 nC @ 20 V
+25V,-10V
111 pF @ 1000 V
-
44W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
PG-TO263-7
IMBF170R650M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Infineon Technologies
1,863
现货
1 : ¥45.81000
剪切带(CT)
1,000 : ¥23.68787
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
7.4A(Tc)
12V,15V
650毫欧 @ 1.5A,15V
5.7V @ 1.7mA
8 nC @ 12 V
+20V,-10V
422 pF @ 1000 V
-
88W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-13
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
IMBG120R350M1HXTMA1
IMBG120R350M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
Infineon Technologies
1,854
现货
1 : ¥51.31000
剪切带(CT)
1,000 : ¥29.11624
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
4.7A(Tc)
-
468 毫欧 @ 2A,18V
5.7V @ 1mA
5.9 nC @ 18 V
+18V,-15V
196 pF @ 800 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
PG-TO263-7
IMBF170R450M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Infineon Technologies
1,391
现货
1 : ¥51.72000
剪切带(CT)
1,000 : ¥29.35219
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
9.8A(Tc)
12V,15V
450毫欧 @ 2A,15V
5.7V @ 2.5mA
11 nC @ 12 V
+20V,-10V
610 pF @ 1000 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-13
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-3
G3R160MT12D
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
3,342
现货
1 : ¥53.53000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
22A(Tc)
15V
192 毫欧 @ 10A,15V
2.69V @ 5mA
28 nC @ 15 V
±15V
730 pF @ 800 V
-
123W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R450MT17D
SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
2,790
现货
1 : ¥59.19000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
9A(Tc)
15V
585 毫欧 @ 4A,15V
2.7V @ 2mA
18 nC @ 15 V
±15V
454 pF @ 1000 V
-
88W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-3PFM
SCT2H12NZGC11
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Rohm Semiconductor
2,203
现货
1 : ¥59.19000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
3.7A(Tc)
18V
1.5 欧姆 @ 1.1A,18V
4V @ 900µA
14 nC @ 18 V
+22V,-6V
184 pF @ 800 V
-
35W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PFM
TO-3PFM,SC-93-3
TO-247N
SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Rohm Semiconductor
6,315
现货
1 : ¥72.25000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
21A(Tc)
18V
156 毫欧 @ 6.7A,18V
5.6V @ 3.33mA
38 nC @ 18 V
+22V,-4V
460 pF @ 500 V
-
103W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
2,005
现货
1 : ¥82.84000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
17A(Tc)
18V
208 毫欧 @ 5A,18V
5.6V @ 2.5mA
42 nC @ 18 V
+22V,-4V
398 pF @ 800 V
-
103W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247-3
G3R75MT12D
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
3,429
现货
1 : ¥86.20000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
41A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 20A,15V
2.69V @ 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V,-10V
1560 pF @ 800 V
-
207W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065090J
C2M1000170J
SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Wolfspeed, Inc.
413
现货
1 : ¥87.60000
散装
散装
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
5.3A(Tc)
20V
1.4 欧姆 @ 2A,20V
4V @ 500µA
13 nC @ 20 V
+25V,-10V
200 pF @ 1000 V
-
78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7(直引线)
TO-247-4 Top
G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
634
现货
1 : ¥88.42000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
41A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 20A,15V
2.69V @ 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V,-10V
1560 pF @ 800 V
-
207W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
C2D10120D
C2M0280120D
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
14,350
现货
1 : ¥89.98000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
10A(Tc)
20V
370 毫欧 @ 6A,20V
2.8V @ 1.25mA(典型值)
20.4 nC @ 20 V
+25V,-10V
259 pF @ 1000 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C2M1000170D
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,317
现货
1 : ¥93.35000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
4.9A(Tc)
20V
1.1 欧姆 @ 2A,20V
4V @ 500µA
13 nC @ 20 V
+25V,-10V
191 pF @ 1000 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247N
SCT2450KEGC11
1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
Rohm Semiconductor
130
现货
1 : ¥93.67000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
10A(Tc)
18V
585 毫欧 @ 3A,18V
4V @ 900µA
27 nC @ 18 V
+22V,-6V
463 pF @ 800 V
-
85W(Tc)
175°C
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
CoolSiC Series
IMZ120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Infineon Technologies
260
现货
1 : ¥95.07000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
36A(Tc)
15V,18V
78 毫欧 @ 13A,18V
5.7V @ 5.6mA
31 nC @ 18 V
+23V,-7V
1060 pF @ 800 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-1
TO-247-4
TO-247-3 AC EP
IMW120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Infineon Technologies
716
现货
1 : ¥98.27000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
36A(Tc)
15V,18V
78 毫欧 @ 13A,18V
5.7V @ 5.6mA
31 nC @ 18 V
+23V,-7V
1060 pF @ 800 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
1,016
现货
1 : ¥100.49000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
21A(Tc)
15V
208 毫欧 @ 12A,15V
2.7V @ 5mA
51 nC @ 15 V
±15V
1272 pF @ 1000 V
-
175W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C3M0120090D
SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
853
现货
1 : ¥100.65000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
900 V
23A(Tc)
15V
155 毫欧 @ 15A,15V
3.5V @ 3mA
17.3 nC @ 15 V
+18V,-8V
414 pF @ 600 V
-
97W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
MSC080SMA120B
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Microchip Technology
104
现货
1 : ¥105.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
37A(Tc)
20V
100 毫欧 @ 15A,20V
2.8V @ 1mA
64 nC @ 20 V
+23V,-10V
838 pF @ 1000 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
AIMW120R080M1XKSA1
1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Infineon Technologies
105
现货
1 : ¥119.13000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
33A(Tc)
15V
104 毫欧 @ 13A,15V
5.7V @ 5.6mA
28 nC @ 15 V
+20V,-7V
1060 pF @ 800 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
C2D10120D
C2M0160120D
SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,508
现货
1 : ¥130.62000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
19A(Tc)
20V
196 毫欧 @ 10A,20V
2.5V @ 500µA
32.6 nC @ 20 V
+25V,-10V
527 pF @ 800 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
CoolSiC_MOSFET
IMBG120R045M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Infineon Technologies
1,007
现货
1 : ¥136.28000
剪切带(CT)
1,000 : ¥86.31773
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
47A(Tc)
-
63 毫欧 @ 16A,18V
5.7V @ 7.5mA
46 nC @ 18 V
+18V,-15V
1527 pF @ 800 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-3
G3R40MT12D
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
1,446
现货
1 : ¥143.02000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
71A(Tc)
15V
48 毫欧 @ 35A,15V
2.69V @ 10mA
106 nC @ 15 V
±15V
2929 pF @ 800 V
-
333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
/ 581

SiCFET(碳化硅) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。