通孔 N 通道 650 V 21A（Tc） 103W（Tc） TO-247N
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
通孔 N 通道 650 V 21A（Tc） 103W（Tc） TO-247N
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT3120ALGC11

DigiKey 零件编号
SCT3120ALGC11-ND
制造商
Rohm Semiconductor
制造商产品编号
SCT3120ALGC11
描述
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
原厂标准交货期
27 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 21A（Tc） 103W（Tc） TO-247N
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SCT3120ALGC11 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
156 毫欧 @ 6.7A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.6V @ 3.33mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
38 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+22V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
460 pF @ 500 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
103W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247N
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SCT3120
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数量
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管件
数量 单价
（含 13% 增值税）
总价
（含 13% 增值税）
1¥70.79000¥70.79
30¥43.62233¥1,308.67
120¥41.30817¥4,956.98
制造商标准包装
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