27A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 102
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Cambridge GaN DevicesDiodes IncorporatedGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.
系列
-aMOS™CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ P7HEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Q ClassICeGaN™MDmesh™ IIMDmesh™ VOptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V55 V60 V75 V80 V100 V150 V200 V250 V500 V600 V650 V800 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V,10V6V,10V10V10V,12V10V,15V11V12V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 毫欧 @ 13.5A,10V6.2 毫欧 @ 27A,10V13 毫欧 @ 6.5A,10V19 毫欧 @ 13.5A,10V20 毫欧 @ 13.5A,10V25 毫欧 @ 5A,10V25 毫欧 @ 7A,10V25.7 毫欧 @ 27A,10V26 毫欧 @ 27A,10V30 毫欧 @ 10A,10V32 毫欧 @ 10A,10V33 毫欧 @ 27A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 31µA2.3V @ 200µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 400uA3V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 11µA4V @ 1mA4V @ 2.5mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.6 nC @ 5 V6 nC @ 12 V10.4 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V14 nC @ 8 V15 nC @ 10 V17 nC @ 10 V18.6 nC @ 10 V19 nC @ 10 V20 nC @ 10 V22 nC @ 10 V23 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±18V+20V,-1V±20V+22V,-6V±22V±25V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
475 pF @ 25 V630 pF @ 25 V631 pF @ 40 V650 pF @ 30 V700 pF @ 25 V760 pF @ 100 V800 pF @ 25 V810 pF @ 25 V965 pF @ 25 V989 pF @ 75 V1125 pF @ 800 V1130 pF @ 400 V
FET 功能
-电流检测
功率耗散(最大值)
700mW(Ta),32W(Tc)1.5W(Ta)1.5W(Ta),52W(Tc)1.6W(Ta)2.8W(Ta)3.75W(Ta),120W(Tc)3.75W(Ta),150W(Tc)30W(Tc)36W(Tc)40W(Tc)45W(Tc)50W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
8-DFN3333(3.3x3.3)8-HVSON(3.3x3.3)8-HWSON(3.3x3.3)8-TSON Advance(3.1x3.1)16-DFN(8x8)D2PAKD2PAK-7D3PAKDPAKI2PAKIPAK(TO-251AA)ISOPLUS247™
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-VDFN 裸露焊盘10-PowerSOP 模块16-PowerVDFNPowerPAK® SO-8SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3 变式TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
102结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 102
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRFR4105TRPBF
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Infineon Technologies
11,570
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.73489
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
27A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263
FQB27P06TM
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
onsemi
415
现货
1 : ¥16.17000
剪切带(CT)
800 : ¥9.03213
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
27A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 13.5A,10V
4V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±25V
1400 pF @ 25 V
-
3.75W(Ta),120W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
6,178
现货
1 : ¥31.61000
剪切带(CT)
800 : ¥19.10346
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
27A(Tc)
10V
160 毫欧 @ 13.5A,10V
4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±30V
1294 pF @ 100 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 AC EP
IRFP27N60KPBF
MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
Vishay Siliconix
3,063
现货
1 : ¥77.41000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
27A(Tc)
10V
220 毫欧 @ 16A,10V
5V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±30V
4660 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-252-2
DMP3028LK3-13
MOSFET P-CH 30V 27A TO252
Diodes Incorporated
10,817
现货
65,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.86090
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
27A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 7A,10V
2.4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1241 pF @ 15 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMTH8028LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Diodes Incorporated
4,333
现货
798,000
工厂
1 : ¥5.75000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.18229
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
27A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
631 pF @ 40 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
TO252-3
IPD33CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Infineon Technologies
29,907
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.05030
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
27A(Tc)
10V
33 毫欧 @ 27A,10V
4V @ 29µA
24 nC @ 10 V
±20V
1570 pF @ 50 V
-
58W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
UF3C120080B7S
UF3C065080B7S
SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Qorvo
2,957
现货
1 : ¥72.65000
剪切带(CT)
800 : ¥45.76875
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
650 V
27A(Tc)
-
105 毫欧 @ 20A,12V
6V @ 10mA
23 nC @ 12 V
±25V
760 pF @ 100 V
-
136.4W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ416EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Vishay Siliconix
9,000
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.20408
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
27A(Tc)
10V
30 毫欧 @ 10A,10V
3.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO252-3
IPD22N08S2L50ATMA1
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Infineon Technologies
7,494
现货
1 : ¥10.26000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.24532
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
27A(Tc)
5V,10V
50 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 31µA
33 nC @ 10 V
±20V
630 pF @ 25 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263
FDB390N15A
MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
onsemi
3,388
现货
1 : ¥16.99000
剪切带(CT)
800 : ¥7.14008
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
27A(Tc)
10V
39 毫欧 @ 27A,10V
4V @ 250µA
18.6 nC @ 10 V
±20V
1285 pF @ 75 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-VSON-4
IPL60R125P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON
Infineon Technologies
5,531
现货
1 : ¥19.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥12.93383
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
27A(Tc)
10V
125 毫欧 @ 8.2A,10V
4V @ 410µA
36 nC @ 10 V
±20V
1544 pF @ 400 V
-
111W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
TO-220F
AOTF27S60L
MOSFET N-CH 600V 27A TO220-3F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
4,872
现货
1 : ¥31.61000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
27A(Tc)
10V
160 毫欧 @ 13.5A,10V
4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±30V
1294 pF @ 100 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
3,769
现货
1 : ¥31.61000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
27A(Tc)
10V
160 毫欧 @ 13.5A,10V
4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±30V
1294 pF @ 100 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-247-3 AD Long Lead EP
LSIC1MO120E0120
SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Littelfuse Inc.
854
现货
1 : ¥136.93000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
27A(Tc)
20V
150 毫欧 @ 14A,20V
4V @ 7mA
80 nC @ 20 V
+22V,-6V
1125 pF @ 800 V
-
139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AD
TO-247-3
TO-264
IXFK27N80Q
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
IXYS
181
现货
1 : ¥238.97000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
27A(Tc)
10V
320 毫欧 @ 500mA,10V
4.5V @ 4mA
170 nC @ 10 V
±20V
7600 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264AA(IXFK)
TO-264-3,TO-264AA
TO-252 D-Pak Top
DMP3028LK3Q-13
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252
Diodes Incorporated
2,395
现货
35,000
工厂
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.94006
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
27A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 7A,10V
2.4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1241 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMTH8028LFVWQ-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Diodes Incorporated
2,000
现货
2,000
工厂
1 : ¥5.75000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.18229
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
27A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
631 pF @ 40 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
2,956
现货
1 : ¥6.88000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.84425
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
27A(Tc)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 13.5A,10V
2.3V @ 200µA
17 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 15 V
-
700mW(Ta),32W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
D2PAK SOT404
PHB29N08T,118
MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
Nexperia USA Inc.
4,700
现货
1 : ¥9.93000
剪切带(CT)
800 : ¥5.34268
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
27A(Tc)
11V
50 毫欧 @ 14A,11V
5V @ 2mA
19 nC @ 10 V
±30V
810 pF @ 25 V
-
88W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
R6014YNX3C16
R6027YNX3C16
NCH 600V 27A, TO-220AB, POWER MO
Rohm Semiconductor
1,000
现货
1 : ¥44.17000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
27A(Tc)
10V,12V
135 毫欧 @ 7A,12V
6V @ 2mA
40 nC @ 10 V
±30V
1670 pF @ 100 V
-
245W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
R6022YNZ4C13
R6027YNZ4C13
NCH 600V 27A, TO-247G, POWER MOS
Rohm Semiconductor
600
现货
1 : ¥49.91000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
27A(Tc)
10V,12V
135 毫欧 @ 7A,12V
6V @ 2mA
40 nC @ 10 V
±30V
1670 pF @ 100 V
-
245W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247G
TO-247-3
SSFD20N24
GSFD0625
MOSFET, N-CH, SINGLE, 27.00A, 60
Good-Ark Semiconductor
11,488
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.41368
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
27A(Tc)
4.5V,10V
34 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 30 V
-
40W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8PowerVDFN
STL50NH3LL
MOSFET N-CH 30V 27A POWERFLAT
STMicroelectronics
1,457
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
27A(Tc)
4.5V,10V
13 毫欧 @ 6.5A,10V
1V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±16V
965 pF @ 25 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
GT1K2P15K
GT1K2P15K
MOSFET P-CH 150V 27A TO-252
Goford Semiconductor
2,500
现货
1 : ¥12.72000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.25145
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
MOSFET(金属氧化物)
-
27A(Tc)
4.5V,10V
110 毫欧 @ 15A,10V
3V @ 250µA
86 nC @ 10 V
±20V
3275 pF @ 75 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252
-
显示
/ 102

27A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。