N 通道 单 FET,MOSFET

结果 : 30,099
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEVVOGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHoneywell Aerospace
系列
-*AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™C2M™C3M™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
技术
-GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
5 V5.5 V8 V9 V10 V12 V15 V16 V18 V20 V22 V24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150µA(Ta)5mA(Ta)10mA(Ta)13mA(Tj)21mA(Ta)30mA(Ta)30mA(Tc)30mA(Tj)34mA(Ta)40mA(Ta)50mA(Ta)50mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V0V,10V0V,18V0V,6V0.35V0.9V,2.5V0.9V,4.5V1.2V,2.5V1.2V,3V1.2V,4.5V1.2V,4V1.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.29 毫欧 @ 50A,10V0.3mOhm @ 200A,10V0.35 毫欧 @ 50A,10V0.4 毫欧 @ 150A,10V0.4 毫欧 @ 30A,10V0.4 毫欧 @ 50A,10V0.42 毫欧 @ 50A,10V0.44 毫欧 @ 88A,10V0.45 毫欧 @ 30A,10V0.45 毫欧 @ 30A,7V0.45 毫欧 @ 50A,10V0.45 毫欧 @ 60A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
400mV @ 1mA(最小)400mV @ 250µA(最小)450mV @ 1mA(最小)450mV @ 250µA(最小)450mV @ 2mA(最小)500mV @ 250µA(最小)570mV @ 1mA(典型值)600mV @ 1.2mA(最小)600mV @ 1mA(最小)600mV @ 250µA(最小)650mV @ 1mA(最小)700mV @ 1mA(典型值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-10V-8V,+19V+0.6V,-12V4.2V @ 1mA±5V+5.5V,-0.3V±5.5V+5.75V,-4V+6V,-10V+6V,-4V+6V,-5V6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2.195 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7.1 pF @ 10 V7.8 pF @ 3 V
FET 功能
-温度检测二极管电流检测耗尽模式肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
400µW400µW(Ta)100mW100mW(Ta)120mW(Ta)125mW(Ta)125mW(Ta),3W(Tc)150mW150mW(Ta)150mW(Tc)155mW(Ta)160mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 100°C-55°C ~ 110°C(TA)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C(TA)-55°C ~ 125°C(TJ)-55°C ~ 135°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/601MIL-PRF-19500/603MIL-PRF-19500/614MIL-STD-750
安装类型
-底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
2-HWSON(5x4)3-CP3-CPH3-DFN(0.6x1)3-DFN(1.0 x 0.60)3-DFN(1x0.6)3-FCLGA(3.2x2.2)3-LGA(4.1x8)3-MCPH3-PICOSTAR3-PMCP3-PQFN(5x6)
封装/外壳
2-DFN 裸露焊盘3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD,引线3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD,SOT-23-3 变式3-SMD,扁平引线3-SMD,扁平引线3-SMD,无引线
库存选项
环境选项
媒体
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/ 30,099
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
30,901
现货
1 : ¥1.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.23935
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V190mA(Ta),300mA(Tc)5V,10V4.5 欧姆 @ 100mA,10V2.1V @ 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW(Ta),1.33W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
585,488
现货
1 : ¥1.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27547
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V115mA(Ta)5V,10V7.5 欧姆 @ 50mA,5V2.5V @ 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
30,439
现货
1 : ¥1.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.28671
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)50 V200mA(Ta)10V3.5 欧姆 @ 220mA,10V1.5V @ 250µA-±20V50 pF @ 10 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥1.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29579
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V320mA(Ta)4.5V,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2.3V @ 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,489,260
现货
1 : ¥1.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.30850
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V200mA(Ta)1.2V,2.5V1.2 欧姆 @ 100mA,2.5V1V @ 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型EMT3F(SOT-416FL)SC-89,SOT-490
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
494,388
现货
1 : ¥1.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32118
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V260mA(Ta)4.5V,10V2.5 欧姆 @ 240mA,10V2.5V @ 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW(Tj)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,195,983
现货
1 : ¥1.95000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.25685
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V360mA(Ta)10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2.4V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
678,507
现货
1 : ¥1.95000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33370
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V360mA(Ta)10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2.4V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
533,804
现货
75,000
工厂
1 : ¥1.95000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32481
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V350mA(Ta)2.5V,10V2.8 欧姆 @ 250mA,10V1.5V @ 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
61,555
现货
1 : ¥1.95000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.25126
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V400mA(Ta)4.5V,10V1.5 欧姆 @ 100mA,10V2.1V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型CST3SC-101,SOT-883
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
6,124
现货
1 : ¥1.95000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32481
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V260mA(Ta)4.5V,10V2.5 欧姆 @ 240mA,10V2.6V @ 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
4,906,227
现货
1 : ¥2.03000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36858
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V800mA(Ta)1.5V,4.5V235 毫欧 @ 800mA,4.5V1V @ 1mA1 nC @ 4.5 V±8V55 pF @ 10 V-150mW(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型SSMSC-75,SOT-416
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
851,742
现货
1 : ¥2.03000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.34097
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V360mA(Ta)10V1.6 欧姆 @ 300mA,10V1.5V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW(Ta),1.14W(Tc)-55°C ~ 150°C(TA)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
836,119
现货
1 : ¥2.03000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.34479
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)50 V200mA(Ta)0.9V,4.5V2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V800mV @ 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型UMT3FSC-85
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
793,736
现货
1 : ¥2.03000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60974
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V6.5A(Ta)1.8V,4.5V22 毫欧 @ 6.5A,4.5V1V @ 250µA16 nC @ 4.5 V±8V1160 pF @ 10 V-1.4W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-33-SMD,SOT-23-3 变式
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
20,758
现货
1 : ¥2.11000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.27639
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V350mA(Ta)5V,10V2.8 欧姆 @ 200mA,10V2.1V @ 250µA1 nC @ 10 V±20V23.6 pF @ 10 V-350mW(Ta),3.1W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-883SC-101,SOT-883
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
838,852
现货
1 : ¥2.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36820
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V350mA(Ta)10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2.1V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW(Ta)150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
731,313
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.20000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.34316
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V100mA(Ta)1.2V,4.5V3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V1V @ 100µA-±8V7.1 pF @ 10 V-150mW(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型VMT3SOT-723
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
262,120
现货
1 : ¥2.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36294
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V170mA(Ta)10V6 欧姆 @ 170mA,10V2V @ 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
104,723
现货
1 : ¥2.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36657
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V115mA(Tc)5V,10V7.5 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
977,521
现货
1 : ¥2.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38652
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V320mA(Ta)10V1.6 欧姆 @ 300mA,10V1.5V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW(Ta),830mW(Tc)-55°C ~ 150°C(TA)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-323SC-70,SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
859,393
现货
1 : ¥2.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38652
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V300mA(Ta)4.5V,10V2 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
678,174
现货
1 : ¥2.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38633
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V300mA(Tc)10V5 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW(Ta)-65°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
329,771
现货
1 : ¥2.28000
剪切带(CT)
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不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V150mA(Ta)10V6 欧姆 @ 120mA,10V2.8V @ 1mA-±20V40 pF @ 25 V-250mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
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在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V300mA(Ta)4.5V,10V2 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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N 通道 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。