N 通道 单 FET,MOSFET

结果 : 32,697
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEVVOFairchild Semiconductor
系列
-*2N7002K4485650AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AP4NA2R2HCAutomotive, AEC-Q101
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
技术
-GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
5 V5.5 V8 V9 V10 V12 V15 V16 V18 V20 V22 V24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150µA(Ta)520µA(Ta)5mA(Ta)10mA(Ta)13mA(Tj)21mA(Ta)30mA(Ta)30mA(Tc)30mA(Tj)34mA(Ta)40mA(Ta)50mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V0V,10V0V,18V0.35V0.9V,2.5V0.9V,4.5V1.2V,2.5V1.2V,3V1.2V,4.5V1.2V,4V1.5V1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.29 毫欧 @ 50A,10V0.3mOhm @ 200A,10V0.35 毫欧 @ 50A,10V0.36 毫欧 @ 100A,10V0.39 毫欧 @ 100A,10V0.4 毫欧 @ 150A,10V0.4 毫欧 @ 30A,10V0.4 毫欧 @ 50A,10V0.42 毫欧 @ 50A,10V0.44 毫欧 @ 88A,10V0.45 毫欧 @ 30A,10V0.45 毫欧 @ 30A,7V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
300mV @ 250µA400mV @ 1mA(最小)400mV @ 250µA400mV @ 250µA(最小)450mV @ 1mA(最小)450mV @ 250µA(最小)450mV @ 2mA(最小)500mV @ 250µA(最小)570mV @ 1mA(典型值)600mV @ 1.2mA(最小)600mV @ 1mA(最小)600mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-10V-8V,+19V+0.6V,-12V4.2V @ 1mA±5V+5.5V,-0.3V+5.5V,-300mV+5.5V,-4V±5.5V+5.75V,-4V+6V,-10V+6V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4.5 pF @ 5 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7 pF @ 10 V7.1 pF @ 10 V7.8 pF @ 3 V
FET 功能
-温度检测二极管电流检测耗尽模式肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
400µW400µW(Ta)500µW(Ta)100mW100mW(Ta)120mW(Ta)125mW(Ta)125mW(Ta),3W(Tc)150mW150mW(Ta)150mW(Tc)155mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 100°C-55°C ~ 110°C(TA)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C(TA)-55°C ~ 125°C(TJ)-55°C ~ 135°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/601MIL-PRF-19500/603MIL-PRF-19500/614MIL-STD-750
安装类型
-底座安装表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
2-HWSON(5x4)3-CP3-CPH3-DFN(0.6x1)3-DFN(1.0 x 0.60)3-DFN(1x0.6)3-FCLGA(3.2x2.2)3-LGA(4.1x8)3-MCPH3-PICOSTAR3-PMCP3-PQFN(5x6)
封装/外壳
2-DFN 裸露焊盘3-DFN 裸露焊盘3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD,引线3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD,SOT-23-3 变式3-SMD,扁平引线3-SMD,无引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
32,697结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 32,697
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
106,062
现货
1 : ¥0.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.19673
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta),300mA(Tc)
5V,10V
4.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW(Ta),1.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
83,791
现货
1 : ¥0.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.19557
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
355,098
现货
1 : ¥0.90000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.23285
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
199,506
现货
19,674,000
工厂
1 : ¥0.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.26389
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,218,028
现货
1 : ¥1.06000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.23990
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
200mA(Ta)
1.2V,2.5V
1.2 欧姆 @ 100mA,2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
EMT3F(SOT-416FL)
SC-89,SOT-490
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
407,340
现货
55,965,000
工厂
1 : ¥1.06000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27053
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
380mA(Ta)
5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
84,165
现货
1 : ¥1.06000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27053
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Ta)
4.5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
389,592
现货
1,068,000
工厂
1 : ¥1.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29153
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
350mA(Ta)
2.5V,10V
2.8 欧姆 @ 250mA,10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
343,310
现货
1 : ¥1.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.28893
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
299,047
现货
1 : ¥1.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.30711
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
360mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
49,440
现货
1 : ¥1.14000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.24677
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
400mA(Ta)
4.5V,10V
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
CST3
SC-101,SOT-883
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
24,656
现货
1 : ¥1.14000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.25891
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
350mA(Ta)
5V,10V
2.8 欧姆 @ 200mA,10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-883
SC-101,SOT-883
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
815,963
现货
1 : ¥1.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.31242
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
360mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 300mA,10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW(Ta),1.14W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TA)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
508,022
现货
1 : ¥1.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.31522
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
0.9V,4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
UMT3F
SC-85
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
432,217
现货
1 : ¥1.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32116
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Tc)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PG-SOT23
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
190,573
现货
1 : ¥1.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.31091
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
103,622
现货
1 : ¥1.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.31858
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
10V
6 欧姆 @ 170mA,10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
13,899
现货
1 : ¥1.22000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.28852
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
3.6 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
854,410
现货
1 : ¥1.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.34547
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 300mA,10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW(Ta),830mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TA)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
777,038
现货
1 : ¥1.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27637
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TL431BFDT-QR
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
767,440
现货
1 : ¥1.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33226
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
350mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW(Ta)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
554,112
现货
1 : ¥1.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.35269
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
512,784
现货
1 : ¥1.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.34534
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Tc)
10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
371,107
现货
1 : ¥1.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.34547
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
253,369
现货
1 : ¥1.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.34444
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
150mA(Ta)
10V
6 欧姆 @ 120mA,10V
2.8V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
250mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
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N 通道 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。