FP150R12KT4P Datasheet by Infineon Technologies

f 21% Ef% 00000123455000000000000
Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.1
www.infineon.com 2017-08-21
FP150R12KT4P
EconoPIM™3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC/bereits
aufgetragenemThermalInterfaceMaterial
EconoPIM™3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC/pre-applied
ThermalInterfaceMaterial
VCES = 1200V
IC nom = 150A / ICRM = 300A
PotentielleAnwendungen PotentialApplications
• •Hilfsumrichter Auxiliaryinverters
• •Motorantriebe Motordrives
• •Servoumrichter Servodrives
ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• •NiedrigesVCEsat LowVCEsat
• •Tvjop=150°C Tvjop=150°C
• •VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient
MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
• •HoheLeistungsdichte Highpowerdensity
• •IntegrierterNTCTemperaturSensor IntegratedNTCtemperaturesensor
• •Kupferbodenplatte Copperbaseplate
• •Lötverbindungstechnik Soldercontacttechnology
• •Standardgehäuse Standardhousing
• •Thermisches Interface Material bereits
aufgetragen
Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23
Héchstzulassige Werte/ Maximum Rated Values Charakteristische Werte I Characteristic Values mm, iyp, max
Datasheet 2 V3.1
2017-08-21
FP150R12KT4P
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent TH = 75°C, Tvj max = 175°C IC nom 150 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 300 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 150 A, VGE = 15 V
IC = 150 A, VGE = 15 V
IC = 150 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,75
2,05
2,10
2,10 V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage IC = 5,70 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,25 5,80 6,35 V
Gateladung
Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG1,20 µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 5,0 Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 9,35 nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,41 nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 150 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 6,8 Ω
td on 0,16
0,19
0,19
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 150 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 6,8 Ω
tr0,07
0,08
0,08
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 150 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 6,8 Ω
td off 0,42
0,48
0,53
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 150 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 6,8 Ω
tf0,10
0,19
0,22
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 150 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 1600 A/µs (Tvj = 150°C)
RGon = 6,8 ΩEon
22,0
28,5
30,5
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 150 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (Tvj = 150°C)
RGoff = 6,8 ΩEoff
9,80
15,0
17,0
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 540 A
Tvj = 150°C
tP ≤ 10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 0,250 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Héchstzulassige Werte] Maximum Rated Values Charakteristische Werte I Characteristic Values mm, typ, max Héchstzulassige Werte] Maximum Rated Values Charakteristische Werte I Characteristic Values mm, typ, max
Datasheet 3 V3.1
2017-08-21
FP150R12KT4P
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent IF150 A
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 300 A
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 3050
2950 A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 150 A, VGE = 0 V
IF = 150 A, VGE = 0 V
IF = 150 A, VGE = 0 V
VF
1,70
1,65
1,65
2,15 V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 150 A, - diF/dt = 1600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
IRM
57,0
73,0
78,0
A
A
A
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 150 A, - diF/dt = 1600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Qr
9,80
19,5
22,0
µC
µC
µC
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 150 A, - diF/dt = 1600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Erec
2,60
5,20
6,20
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 0,407 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1600 V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
MaximumRMSforwardcurrentperchip TH = 100°C IFRMSM 150 A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 100°C IRMSM 150 A
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 1600
1400 A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 13000
9800 A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 150 A VF1,00 V
Sperrstrom
Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR1,00 mA
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 0,356 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Héchstzulassige Werte/ Maximum Rated Values Charakteristische Werte I Characteristic Values mm, iyp, max
Datasheet 4 V3.1
2017-08-21
FP150R12KT4P
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent TH = 90°C, Tvj max = 175°C IC nom 100 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 200 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 100 A, VGE = 15 V
IC = 100 A, VGE = 15 V
IC = 100 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,75
2,05
2,10
2,10 V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage IC = 3,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,25 5,80 6,35 V
Gateladung
Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG0,80 µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 7,5 Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,30 nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,27 nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,6 Ω
td on 0,15
0,16
0,16
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,6 Ω
tr0,03
0,04
0,04
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,6 Ω
td off 0,31
0,35
0,37
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,6 Ω
tf0,10
0,16
0,21
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 2300 A/µs (Tvj = 150°C)
RGon = 1,6 ΩEon
6,10
9,00
9,70
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 3700 V/µs (Tvj = 150°C)
RGoff = 1,6 ΩEoff
6,10
9,20
10,0
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 360 A
Tvj = 150°C
tP ≤ 10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 0,308 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
@ Héchstzulassige Werte/ Maximum Rated Values Charakteristische WertelCharacterislic Values mm, lyp. max Charakteristische WertelCharacterislic Values mm, lyp. max
Datasheet 5 V3.1
2017-08-21
FP150R12KT4P
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent IF50 A
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 100 A
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 560
475 A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
VF
1,70
1,65
1,65
2,15 V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 50 A, - diF/dt = 2300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = 15 V
IRM
76,0
77,0
77,0
A
A
A
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 50 A, - diF/dt = 2300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = 15 V
Qr
5,70
9,40
10,5
µC
µC
µC
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 50 A, - diF/dt = 2300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = 15 V
Erec
2,00
3,50
3,80
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 0,810 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Nennwiderstand
Ratedresistance TNTC = 25°C R25 5,00 kΩ
AbweichungvonR100
DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
Verlustleistung
Powerdissipation TNTC = 25°C P25 20,0 mW
B-Wert
B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-Wert
B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-Wert
B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
@ Modul I Module mm, typ, max
Datasheet 6 V3.1
2017-08-21
FP150R12KT4P
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate Cu
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 7,5 mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex CTI > 200
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule LsCE 25 nH
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TH=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 1,10 mΩ
Lagertemperatur
Storagetemperature Tstg -40 125 °C
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumbaseplateoperationtemperature
TBPmax 125 °C
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 6,00 Nm
Gewicht
Weight G 300 g
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07
Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07
@ _ //l// / / ,1 , / / // 1/ // ' // // / ,, / 1' /’ 2/ 9.? _ / I/ , — — / ___ 1/ I/ I." / {/ / / I ’II / [1/] [I / [I r' / / I / / ” / / /
Datasheet 7 V3.1
2017-08-21
FP150R12KT4P
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
VGE [V]
IC [A]
5 6 7 8 9 10 11 12 13
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=6.8Ω,RGoff=6.8Ω,VCE=600V
IC [A]
E [mJ]
0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300
0
25
50
75
100
125
150
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
@ //
Datasheet 8 V3.1
2017-08-21
FP150R12KT4P
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=150A,VCE=600V
RG [Ω]
E [mJ]
0 10 20 30 40 50 60 70
0
25
50
75
100
125
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
t [s]
ZthJH [K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,001
0,01
0,1
1
ZthJH : IGBT
i:
ri[K/W]:
τi[s]:
1
0,0135
0,000638
2
0,098
0,0355
3
0,103
0,172
4
0,0355
1,31
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=6.8Ω,Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
0
50
100
150
200
250
300
350
IC, Modul
IC, Chip
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
VF [V]
IF [A]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
@
Datasheet 9 V3.1
2017-08-21
FP150R12KT4P
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=6.8Ω,VCE=600V
IF [A]
E [mJ]
0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=150A,VCE=600V
RG [Ω]
E [mJ]
0 10 20 30 40 50 60 70
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
t [s]
ZthJH [K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,001
0,01
0,1
1
ZthJH : Diode
i:
ri[K/W]:
τi[s]:
1
0,0215
0,000644
2
0,154
0,0317
3
0,178
0,139
4
0,0535
1,16
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
IF=f(VF)
VF [V]
IF [A]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
@ // /
Datasheet 10 V3.1
2017-08-21
FP150R12KT4P
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
VF [V]
IF [A]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
TNTC [°C]
R[Ω]
0 20 40 60 80 100 120 140 160
100
1000
10000
100000
Rtyp
@ >—<*’ 3h»)="" 5="" hhj/b/q="" www/m}="" mus="" iii="" a="" umfiv—‘w="" :="" um;="" “mm="" mm="" u="" an:="" 52.5";="" “warn="" *="" ar="" ”e="" u="" mk}="" 15/16/fl‘="" hw/zc/n="" us="" a»:="" one="" hana="" mm="" mm="" yomnnz="" w.="" 9::="" an="" mmsmns="" «my="" name="" or="" m="" m=""><22 resmmn="" ma="" for="" "mum="" \mrrm="" mmm="">
Datasheet 11 V3.1
2017-08-21
FP150R12KT4P
Schaltplan/Circuitdiagram
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Trademarks
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Edition2017-08-21
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