Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

适用于 48V 服务器和电信应用的 3 kW 电源设计

Toshiba MOSFET 的设计旨在应对现代服务器设计带来的挑战

适用于 48 V 服务器和电信应用的 Toshiba 3kW 电源设计图片Toshiba SiC MOSFET 和低压 MOSFET 旨在应对现代服务器设计带来的挑战，例如更高的空间密度和高热环境。

在此应用中，Toshiba 提供用于初级侧的 650 V SiC MOSFET 和用于次级侧的 80 V MOSFET。结合 SiC 肖特基势垒二极管和数字隔离技术，可在半无桥 PFC 和相移全桥同步整流器拓扑结构中实现高效率。

特性
  • 3 kW 交流转直流转换器
  • 高效率 MOSFET 和二极管
  • 数字隔离
  • 输入电压：AC 180 V 至 264 V
 
  • 输出电压：直流 50 V
  • 输出功率：3 kW
  • 电路拓扑：半无桥 PFC，移相全桥 + 同步整流，输出端采用 ORing 电路
应用
  • 服务器
  • 电信
  • 48 V 背板
框图
Toshiba 3 kW 电源设计框图（点击放大） 

3 kW Power Supply Design

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
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N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T		TW027U65C,RQN-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T1934 - 立即发货$340.03查看详情
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发布日期： 2026-02-10

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