Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

TRSxxx65H 肖特基势垒二极管

Toshiba 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 专为工业设备而设计

Toshiba TRSxxx65H 肖特基势垒二极管图片Toshiba 工业设备用 TRSxxx65H 系列 SiC SBD 采用优化了结势垒肖特基 (JBS) 结构的第三代 SiC SBD 芯片。这些器件实现了非常低的正向电压 1.2 V（典型值），比上一代产品的 1.45 V（典型值）低 17%。它们还改善了正向电压和总电容电荷之间以及正向电压和反向电流之间的权衡，从而降低了功率耗散并提高了设备的效率。产品采用 TO-220-2L 封装，另有五种产品采用 DFN8×8 封装。

特性
  • 低正向电压：VF = 1.2 V（典型值）(IF = IF(DC))
  • 低反向电流：TRS6E65H IR = 1.1 µA（典型值）(VR = 650 V)
  • 低总电容电荷：TRS6E65H QC= 17 nC（典型值）(VR = 400 V, f = 1 MHz)
应用
  • 开关式电源
  • 电动车辆充电站
  • 光伏逆变器

TRSxxx65H Schottky Barrier Diodes

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
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发布日期： 2024-08-23

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