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650 V 和 1,200 V 第三代碳化硅 MOSFET | Datasheet Preview

Toshiba 的 650 V 和 1,200 V 第三代碳化硅技术专为高效电源应用而设计。采用行业标准三引线 TO-247 封装的这些碳化硅 MOSFET 专为 400 V 和 800 V 交流输入电源、光伏逆变器和用于不间断电源的双向 DC/DC 转换器等大功率工业应用而设计。这些 MOSFET 具有更高的耐压、更快的开关和更低的导通电阻，有助于降低功耗并提高功率密度。其中，650 V 器件具有 4,850 pF 输入电容、128 nC 低栅极输入电荷，以及仅 15 mΩ 的漏源极导通电阻。1200 V 器件具有 6000 pF 输入电容、158 nC 低栅极输入电荷，其漏源极导通电阻也仅为 15 mΩ。

12/28/2022 7:43:26 PM

Part List

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOHTW015N65C,S1FG3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH24 - 立即发货$509.31查看详情
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOHTW027N65C,S1FG3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH16 - 立即发货$233.21查看详情
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MOTW107N65C,S1FG3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO145 - 立即发货$101.44查看详情
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140MTW140N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M30 - 立即发货$115.28查看详情
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MOTW060N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO39 - 立即发货$196.20查看详情
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MOTW045N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO1 - 立即发货$241.50查看详情
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MOTW030N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO40 - 立即发货$325.50查看详情
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MOTW015N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO48 - 立即发货$661.25查看详情
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOHTW083N65C,S1FG3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH55 - 立即发货$139.12查看详情
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOHTW048N65C,S1FG3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH0 - 立即发货$168.26查看详情

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发布日期：2022-11-22

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