Name: SISF20DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISF20DN-T1-GE3TR-ND
Price: 20.68 CNY
Availability: OutOfStock

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SISF20DN-T1-GE3
DigiKey 零件编号	SISF20DN-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SISF20DN-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SISF20DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SISF20DN-T1-GE3
描述	MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212
原厂标准交货期	55 周
客户内部零件编号
详细描述	MOSFET - 阵列 60V 14A（Ta），52A（Tc） 5.2W（Ta），69.4W（Tc）表面贴装型 PowerPAK® 1212-8SCD 双通道
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列
制造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET® Gen IV
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
技术	MOSFET（金属氧化物）
配置	2 N-通道（双）
FET 功能	-
漏源电压（Vdss）	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	14A（Ta），52A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	13 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	33nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1290pF @ 30V
功率 - 最大值	5.2W（Ta），69.4W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	PowerPAK® 1212-8SCD 双通道
供应商器件封装	PowerPAK® 1212-8SCD 双通道
基本产品编号	SISF20