FET、MOSFET 阵列

结果 : 5,109
制造商
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark Semiconductor
系列
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)碳化硅(SiC)
配置
1 N 沟道,1 P 沟道2 N 和 2 P 沟道(全桥)2 N 和 2 P 沟道(双)配对2 N 沟道(双路降压斩波器)2 N 沟道(双)共源2 N 沟道(双)共漏2 N 沟道(双)配对2 N 沟道(双)非对称型2 N 沟道(双),P 沟道2 N 沟道(相角)2 N 沟道,共漏2 N-沟道(级联)
FET 功能
-GaNFET(氮化镓)标准碳化硅(SiC)耗尽模式超级结逻辑电平栅极,0.9V 驱动逻辑电平栅极,1.2V 驱动逻辑电平栅极,1.5V 驱动逻辑电平栅极,1.8V 驱动逻辑电平栅极,2.5V 驱动逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平栅极,4V 驱动逻辑电平栅极,5V 驱动
漏源电压(Vdss)
5.5V8V10V10.6V12V12V,20V14V15V16V20V20V,12V20V,8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12mA,3mA40mA40mA,16mA50mA(Ta)80mA100mA100mA(Ta)100mA,200mA100mA,5.5A115mA115mA(Ta)115mA(Ta),130mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.46 毫欧 @ 160A,12V0.762 毫欧 @ 160A,12V765 微欧 @ 160A,12V,580 微欧 @ 160A,12V765 微欧 @ 160A,12V,710 微欧 @ 160A,12V0.8 毫欧 @ 1200A,10V0.88 毫欧 @ 160A,14V,0.71 毫欧 @ 160A,14V0.95 毫欧 @ 30A,10V0.95 毫欧 @ 8A,4.5V0.99 毫欧 @ 80A,10V,1.35 毫欧 @ 80A,10V1.039 毫欧 @ 160A,12V,762 微欧 @ 160A,12V1.2 毫欧 @ 10A, 10V1.2 毫欧 @ 800A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
10mV @ 10µA10mV @ 1µA10mV @ 20µA20mV @ 10µA20mV @ 1µA20mV @ 20µA180mV @ 1µA220mV @ 1µA360mV @ 1µA380mV @ 1µA400mV @ 250µA(最小)420mV @ 1µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.4pC @ 4.5V,7.3nC @ 4.5V0.45pC @ 4.5V0.16nC @ 5V,0.044nC @ 5V0.22nC @ 5V,0.044nC @ 5V0.26nC @ 2.5V280pC @ 4.5V0.28nC @ 4.5V0.28nC @ 4.5V,0.3nC @ 4.5V0.3nC @ 4.5V0.3nC @ 4.5V,0.28nC @ 4.5V0.304nC @ 4.5V0.31nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2.5pF @ 5V3pF @ 5V6pF @ 3V6.2pF @ 10V6.6pF @ 10V7pF @ 10V7pF @ 3V7.1pF @ 10V7.4pF @ 10V7.5pF @ 10V8.5pF @ 3V9pF @ 15V
功率 - 最大值
490µW500µW(Ta)10mW20mW120mW125mW125mW(Ta)140mW150mW150mW(Ta)180mW200mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(Tc)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 125°C
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
安装类型
-底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
封装/外壳
4-SMD,无引线4-UFBGA,WLBGA4-UFBGA,WLCSP4-VDFN4-VFDFN 裸露焊盘4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA,DSBGA4-XFBGA,FCBGA4-XFBGA,WLBGA4-XFBGA,WLCSP4-XFDFN
供应商器件封装
4 片式 LGA(1.59x1.59)4-AlphaDFN(0.97x0.97)4-AlphaDFN(1.2x1.2)4-AlphaDFN(1.9x1.3)4-BGA(1x1)4-CSP(0.8x0.8)4-CSP(1.11x1.11)4-CSP(1.1x1.1)4-CSP(1.29x1.29)4-CSP(1.74x1.74)4-DFN(1.5x1.5)4-DFN(1.7x1.7)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5,109结果

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/ 5,109
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
265,595
现货
1 : ¥1.95000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32662
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V300mA1.5 欧姆 @ 100mA,10V2.1V @ 250µA0.6nC @ 4.5V40pF @ 10V285mW150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
226,351
现货
1 : ¥2.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50049
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V230mA7.5 欧姆 @ 50mA,5V2V @ 250µA-50pF @ 25V310mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
46,157
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77102
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V610mA(Ta)396 毫欧 @ 500mA,4.5V1V @ 250µA2nC @ 8V43pF @ 10V220mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666SC-89(SOT-563F)
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
158,621
现货
1 : ¥2.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79029
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V880mA400 毫欧 @ 880mA,2.5V750mV @ 1.6µA0.26nC @ 2.5V78pF @ 10V500mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-VSSOP,SC-88,SOT-363PG-SOT363-PO
SOT 363
BSS84DW-7-F
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Diodes Incorporated
91,705
现货
1 : ¥2.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79928
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门50V130mA10 欧姆 @ 100mA,5V2V @ 1mA-45pF @ 25V300mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SOT-363
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
91,234
现货
1 : ¥2.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48813
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V295mA1.6 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA0.9nC @ 4.5V26pF @ 20V250mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
7,456
现货
1 : ¥2.93000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.52430
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平栅极,1.5V 驱动20V800mA(Ta)235 毫欧 @ 800mA,4.5V,390 毫欧 @ 800mA,4.5V1V @ 1mA1nC @ 10V55pF @ 10V,100pF @ 10V150mW(Ta)150°C--表面贴装型SOT-563,SOT-666ES6
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
4,238
现货
1 : ¥2.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.78386
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-30V250mA1.5 欧姆 @ 10mA,4V1.5V @ 100µA1.3nC @ 5V33pF @ 5V272mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
860,464
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.66140
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平栅极,1.2V 驱动50V200mA2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V1V @ 1mA-25pF @ 10V120mW150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363UMT6
403,164
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54019
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平栅极,1.5V 驱动20V250mA(Ta)2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V1V @ 1mA-12pF @ 10V300mW150°C--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363US6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
251,802
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
2,500 : ¥0.80955
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门30V3.9A70 毫欧 @ 5.3A,10V3V @ 250µA11nC @ 10V563pF @ 25V1.1W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
30,234
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54130
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V320mA1.6 欧姆 @ 500mA,10V2.4V @ 250µA0.8nC @ 4.5V50pF @ 10V420mW150°C(TJ)汽车级AEC-Q100表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-TSSOP
MMDT2907A-TP
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Micro Commercial Co
1,224,900
现货
1 : ¥3.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.55610
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V115mA7.5 欧姆 @ 50mA,5V2V @ 250µA-50pF @ 25V200mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SOT-363
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
101,762
现货
1 : ¥3.09000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.66098
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平栅极,0.9V 驱动50V200mA2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V800mV @ 1mA-26pF @ 10V120mW150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666EMT6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
94,237
现货
3,594,000
工厂
1 : ¥3.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68490
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平栅极,4.5V 驱动30V3.4A,2.8A60 毫欧 @ 3.1A,10V2.3V @ 250µA13nC @ 10V400pF @ 15V840mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TSOT-26
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
65,823
现货
1 : ¥3.17000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.85839
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平门20V540mA,430mA550 毫欧 @ 540mA,4.5V1V @ 250µA2.5nC @ 4.5V150pF @ 16V250mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666SOT-563
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
61,614
现货
366,000
工厂
1 : ¥3.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.69520
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平门30V3.8A,2.5A55 毫欧 @ 3.4A,10V1.5V @ 250µA12.3nC @ 10V422pF @ 15V850mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TSOT-26
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
183,923
现货
2,415,000
工厂
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.58469
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平门20V1.03A,700mA480 毫欧 @ 200mA,5V900mV @ 250µA0.5nC @ 4.5V37.1pF @ 10V450mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
71,377
现货
495,000
工厂
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87768
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V280mA7.5 欧姆 @ 50mA,5V2.5V @ 250µA-50pF @ 25V150mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
46,909
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87638
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 沟道-30V5A32 毫欧 @ 5.8A,10V1.5V @ 250µA-1155pF @ 15V1.4W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-VDFN 裸露焊盘DFN2020-6L
SOT 563
DMG1026UV-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Diodes Incorporated
42,978
现货
501,000
工厂
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87768
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V410mA1.8 欧姆 @ 500mA,10V1.8V @ 250µA0.45nC @ 10V32pF @ 25V580mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666SOT-563
6DFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
38,658
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.84183
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-30V590mA670 毫欧 @ 590mA,4.5V950mV @ 250µA1.05nC @ 4.5V30.3pF @ 15V285mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-XFDFN 裸露焊盘DFN1010B-6
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
35,266
现货
126,000
工厂
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10696
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-30V6.2A30 毫欧 @ 5.8A,10V2V @ 250µA10.6nC @ 10V500pF @ 15V1W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-UDFN 裸露焊盘U-DFN2020-6(B 类)
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
26,031
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.09000
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V370mA1.4 欧姆 @ 340mA,10V2.5V @ 250µA1.4nC @ 10V18.5pF @ 30V510mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SC-70-6
97,117
现货
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.60375
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。