FET、MOSFET 阵列

结果 : 5,631
制造商
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCFairchild SemiconductorGE AerospaceGeneSiC Semiconductor
系列
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)碳化硅(SiC)
配置
2 N 和 2 P 沟道(全桥)2 N 和 2 P 沟道(双)配对2 N 沟道,共漏2 N 沟道(双),P 沟道2 N 沟道(双)共源2 N 沟道(双)共漏2 N 沟道(双)配对2 N 沟道(双)非对称型2 N 沟道(双路降压斩波器)2 N 沟道(相角)2 N-沟道(级联)2 N-通道(双)
FET 功能
-碳化硅(SiC)耗尽模式逻辑电平栅极,0.9V 驱动逻辑电平栅极,1.2V 驱动逻辑电平栅极,1.5V 驱动逻辑电平栅极,1.8V 驱动逻辑电平栅极,10V 驱动逻辑电平栅极,2.5V 驱动逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平栅极,4V 驱动逻辑电平栅极,5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
5.5V8V10V10.6V12V12V,20V14V15V16V20V20V,12V20V,8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12mA,3mA40mA40mA,16mA50mA(Ta)80mA100mA100mA,200mA100mA,5.5A100mA(Ta)115mA115mA,130mA115mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.46 毫欧 @ 160A,12V0.762 毫欧 @ 160A,12V0.765 毫欧 @ 160A,12V,0.580 毫欧 @ 160A,12V0.765 毫欧 @ 160A,12V,0.710 毫欧 @ 160A,12V0.8 毫欧 @ 1200A,10V0.88 毫欧 @ 160A,14V,0.71 毫欧 @ 160A,14V0.88 毫欧 @ 50A,10V0.95 毫欧 @ 30A,10V0.95 毫欧 @ 8A,4.5V0.99 毫欧 @ 80A,10V,1.35 毫欧 @ 80A,10V1.039 毫欧 @ 160A,12V,762 微欧 @ 160A,12V1.2 毫欧 @ 800A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
10mV @ 10µA10mV @ 1µA10mV @ 20µA20mV @ 10µA20mV @ 1µA20mV @ 20µA180mV @ 1µA200mV @ 2.8A,200mV @ 1.9A220mV @ 1µA360mV @ 1µA380mV @ 1µA400mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.4pC @ 4.5V,7.3nC @ 4.5V0.45pC @ 4.5V0.16nC @ 5V,0.044nC @ 5V0.22nC @ 5V,0.044nC @ 5V0.26nC @ 2.5V0.28nC @ 4.5V0.28nC @ 4.5V,0.3nC @ 4.5V0.3nC @ 4.5V0.3nC @ 4.5V,0.28nC @ 4.5V0.304nC @ 4.5V0.31nC @ 4.5V0.32nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2.5pF @ 5V3pF @ 5V5pF @ 3V6pF @ 3V6.2pF @ 10V6.6pF @ 10V7pF @ 10V7pF @ 3V7.1pF @ 10V7.4pF @ 10V7.5pF @ 10V8.5pF @ 3V
功率 - 最大值
490µW500µW(Ta)10mW20mW120mW125mW125mW(Ta)140mW150mW150mW(Ta)180mW200mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 125°C
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
安装类型
-底座安装表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
封装/外壳
4-SMD,无引线4-UFBGA,WLBGA4-UFBGA,WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN 裸露焊盘4-XBGA,4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA,DSBGA4-XFBGA,FCBGA4-XFBGA,WLBGA
供应商器件封装
4 片式 LGA(1.59x1.59)4-AlphaDFN(0.97x0.97)4-AlphaDFN(1.2x1.2)4-AlphaDFN(1.9x1.3)4-BGA(1x1)4-CSP(0.8x0.8)4-CSP(1.11x1.11)4-CSP(1.1x1.1)4-CSP(1.29x1.29)4-CSP(1.74x1.74)4-DFN(1.5x1.5)4-DFN(1.7x1.7)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5,631结果

显示
/ 5,631
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
27,407
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32005
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
300mA
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
40pF @ 10V
285mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
US6
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
775,266
现货
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.46952
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,1.2V 驱动
50V
200mA
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
1V @ 1mA
-
25pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
354,008
现货
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.47995
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,0.9V 驱动
50V
200mA
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
800mV @ 1mA
-
26pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
UMT6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
242,935
现货
385,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥0.64654
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
3.9A
70 毫欧 @ 5.3A,10V
3V @ 250µA
11nC @ 10V
563pF @ 25V
1.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Diodes Incorporated
147,885
现货
72,000
工厂
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.96981
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
540mA
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
1V @ 250µA
-
150pF @ 16V
225mW
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
170,197
现货
1 : ¥2.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.98519
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道,共漏
逻辑电平门
30V
6A,5.5A
30 毫欧 @ 6A,10V
2.4V @ 250µA
6.3nC @ 10V
310pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
155,547
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50543
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
230mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
310mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
70,442
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77862
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
610mA(Ta)
396 毫欧 @ 500mA,4.5V
1V @ 250µA
2nC @ 8V
43pF @ 10V
220mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SC-89(SOT-563F)
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
21,064
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51602
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
320mA
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.4V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
50pF @ 10V
420mW
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
273,601
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52932
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,1.5V 驱动
20V
250mA(Ta)
2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 1mA
-
12pF @ 10V
300mW
150°C
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
US6
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
136,761
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49295
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
295mA
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.9nC @ 4.5V
26pF @ 20V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
121,332
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79160
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
250mA
1.5 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
1.3nC @ 5V
33pF @ 5V
272mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
20,618
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80588
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
950mA
350 毫欧 @ 950mA,4.5V
1.2V @ 1.6µA
0.32nC @ 4.5V
63pF @ 10V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
PG-SOT363-PO
TSOT-26
DMG6602SVTQ-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
94,009
现货
1,161,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81754
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
30V
3.4A,2.8A
60 毫欧 @ 3.1A,10V
2.3V @ 250µA
13nC @ 10V
400pF @ 15V
840mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
6DFN
PMCXB900UEZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
107,784
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.80723
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
逻辑电平门
20V
600mA,500mA
620 毫欧 @ 600mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
21.3pF @ 10V
265mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
85,829
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.86686
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
540mA,430mA
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
1V @ 250µA
2.5nC @ 4.5V
150pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
51,999
现货
1,038,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70205
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
3.8A,2.5A
55 毫欧 @ 3.4A,10V
1.5V @ 250µA
12.3nC @ 10V
422pF @ 15V
850mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
435,029
现货
1,884,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88634
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
60V
500mA,360mA
1.7 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.3nC @ 4.5V
30pF @ 25V,25pF @ 25V
450mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
155,786
现货
2,568,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59045
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
1.03A,700mA
480 毫欧 @ 200mA,5V
900mV @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
37.1pF @ 10V
450mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
64,709
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88634
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
280mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
150mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
33,320
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88502
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 沟道
-
30V
5A
32 毫欧 @ 5.8A,10V
1.5V @ 250µA
-
1155pF @ 15V
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-VDFN 裸露焊盘
DFN2020-6L
6DFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
31,798
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.84975
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
590mA
670 毫欧 @ 590mA,4.5V
950mV @ 250µA
1.05nC @ 4.5V
30.3pF @ 15V
285mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
10,655
现货
219,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.11788
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
6.2A
30 毫欧 @ 5.8A,10V
2V @ 250µA
10.6nC @ 10V
500pF @ 15V
1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6(B 类)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
93,450
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60649
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
300mA
3 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6nC @ 10V
20pF @ 25V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
31,164
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.90840
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
700mA,500mA
388 毫欧 @ 600mA,10V
2.5V @ 250µA
1.5nC @ 10V
28pF @ 15V
340mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-70-6
显示
/ 5,631

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。