MOSFET - 阵列 20V 6A(Tc) 2.6W(Ta),23W(Tc) 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双
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SIS903DN-T1-GE3

DigiKey 零件编号
SIS903DN-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR)
SIS903DN-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT)
SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
SIS903DN-T1-GE3
描述
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
原厂标准交货期
49 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 20V 6A(Tc) 2.6W(Ta),23W(Tc) 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SIS903DN-T1-GE3 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20.1 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
42nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2565pF @ 10V
功率 - 最大值
2.6W(Ta),23W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8 双
基本产品编号
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现货: 16,758
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剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥14.53000¥14.53
10¥9.20400¥92.04
100¥6.16300¥616.30
500¥4.85880¥2,429.40
1,000¥4.43931¥4,439.31
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取 ¥49.00 卷盘费。
卷带(TR)
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
3,000¥3.90655¥11,719.65
6,000¥3.63846¥21,830.76
9,000¥3.57843¥32,205.87
制造商标准包装