Name: TW027Z65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW027Z65C,S1F-ND
Price: 219.96 CNY
Availability: OutOfStock

TW027Z65C,S1F
DigiKey 零件编号	264-TW027Z65C,S1F-ND
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TW027Z65C,S1F
描述	G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 27
原厂标准交货期	24 周
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 650 V 58A（Tc） 156W（Tc） TO-247-4L（X）
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	38 毫欧 @ 29A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	65 nC @ 18 V
Vgs（最大值）	+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2288 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	156W（Tc）
工作温度	175°C
等级	-
资质	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247-4L（X）
封装/外壳	TO-247-4

TW027Z65C,S1F