Name: TK6R9P08QM,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK6R9P08QMRQTR-ND
Price: 16.83 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

TK6R9P08QM,RQ
DigiKey 零件编号	264-TK6R9P08QMRQTR-ND - 卷带（TR） 264-TK6R9P08QMRQCT-ND - 剪切带（CT） 264-TK6R9P08QMRQDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TK6R9P08QM,RQ
描述	UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 80 V 62A（Tc） 89W（Tc） DPAK
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TK6R9P08QM,RQ 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSX-H
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	62A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	6.9 毫欧 @ 31A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2700 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	89W（Tc）
工作温度	175°C
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DPAK
封装/外壳	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63