Name: TK095N65Z5,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK095N65Z5S1F(S-ND
Price: 68.45 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

TK095N65Z5,S1F
DigiKey 零件编号	264-TK095N65Z5S1F(S-ND
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TK095N65Z5,S1F
描述	650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 650 V 29A（Ta） 230W（Tc） TO-247
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	DTMOSVI
包装	管件
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	29A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	95 毫欧 @ 14.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 1.27mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2880 pF @ 300 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	230W（Tc）
工作温度	150°C
等级	-
资质	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247
封装/外壳	TO-247-3