Name: SIR873DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR873DP-T1-GE3TR-ND
Price: 20.84 CNY
Availability: InStock

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SIR873DP-T1-GE3
DigiKey 零件编号	SIR873DP-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SIR873DP-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SIR873DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SIR873DP-T1-GE3
描述	MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
原厂标准交货期	42 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 150 V 37A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK® SO-8
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SIR873DP-T1-GE3 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 Vishay Siliconix	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 48 nC @ 10 V
系列 TrenchFET® Gen IV	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1805 pF @ 75 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 104W（Tc）
FET 类型 P 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 150 V	供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 37A（Tc）	封装/外壳 PowerPAK® SO-8
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 SIR873
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 47.5 毫欧 @ 10A，10V