U-MOSVIII-H 系列工业 MOSFET

Toshiba 的 U-MOSVIII-H 系列 60 V 和 100 V 工业 MOSFET 具备 RDS(on) 和低开关损耗,适用于工业和照明应用

Toshiba 的 U-MOSVIII H 系列工业 MOSFET 的图片Toshiba 60 V SSM3K341 和 100 V SSM3K361 是工业功率 MOSFET,具有低导通电阻,适合用于电视和工业照明中的负载开关。它们也是需要低到中等功率的工业自动化系统的理想选择。

对节能 LED 需求的不断增加,导致 N 沟道 MOSFET 越来越多地用作 LED 驱动器的开关。据 Toshiba 于 2016 年进行的公司内部研究报告,Toshiba 的 SSM3K341R 和 SSM3K361R 具有业界最佳的 SOT-23F 封装典型 RDS(ON) 额定值 (@VGS = 4.5 V),分别为 36mΩ 和 65mΩ。此外,两款器件均支持 +175°C 的最高通道温度,因此可用于各种具有挑战性的工业应用。它们还采用 UDFN6 封装,在体积更紧凑的同时仍通过底部的大型金属片提供出色的散热。

与先前的 Toshiba 产品相比,SOT-23F 封装减少了导通损耗产生的约 65% 的散热。与传统的 SOT-89 封装相比,这些 MOSFET 的小封装尺寸保持了相同的散热水平,同时将整体基底面减少了约 64%。TSOP6F 是类似 SSM6N815R 的高性能封装,包含两个100 V N 沟道 MOSFET。

特性
  • 小尺寸 N 沟道功率 MOSFET
  • 行业标准 SOT-23F 封装
  • 适用于 60 V/6 A 和 100 V/3.5 A 应用
  • 耐高温,高达 +175 °C 通道温度
  • 业内领先的导通电阻
    • SSM3K341R 和 SSM6K341NU 导通电阻是 36 mΩ(典型值)
    • SSM3K361R 和 SSM6K361NU 导通电阻是 65 mΩ(典型值)
应用
  • 高温工业和工业自动化
  • 用于升压电路的同步/异步开关
  • 电视屏幕白色 LED 背光
  • 高电压负载/空载开关

60 V and 100 V U-MOSVIII-H Series Industrial MOSFETs

图片制造商零件编号描述漏源电压(Vdss)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)可供货数量价格查看详情
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发布日期: 2018-07-30