单 FET,MOSFET

结果 : 414
系列
-CoolGaN™CoolMOS®CoolMOS™CoolMOS™ C3CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7CoolMOS™ CECoolMOS™ CFD2CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ G7CoolMOS™ P6CoolMOS™ P7CoolMOS™ PFD7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500 V560 V600 V650 V700 V800 V900 V950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A(Tc)1.7A(Tc)1.9A(Tc)2A(Tc)2.3A(Tc)2.4A(Tc)2.5A(Tc)2.6A(Tc)3A(Tc)3.1A(Tc)3.2A(Tc)3.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V13V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18 毫欧 @ 58.2A,10V85 毫欧 @ 32.6A,10V102 毫欧 @ 7.8A,10V104 毫欧 @ 9.7A,10V105 毫欧 @ 10.5A,10V105 毫欧 @ 7.8A,10V105 毫欧 @ 9.3A,10V110 毫欧 @ 12.7A,10V110 毫欧 @ 9.7A,10V120 毫欧 @ 26A,10V120 毫欧 @ 7.8A,10V120 毫欧 @ 8.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1,6V @ 2,6mA1,6V @ 960µA3.5V @ 1.1mA3.5V @ 100µA3.5V @ 110µA3.5V @ 120µA3.5V @ 130µA3.5V @ 140µA3.5V @ 150µA3.5V @ 170µA3.5V @ 1mA3.5V @ 2.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.2 nC @ 10 V3.8 nC @ 10 V4 nC @ 10 V4.3 nC @ 10 V4.6 nC @ 10 V4.7 nC @ 10 V4.8 nC @ 10 V5.8 nC @ 10 V6 nC @ 10 V6.7 nC @ 10 V6.8 nC @ 10 V6.8 nC @ 400 V
Vgs(最大值)
-10V±16V±20V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
80 pF @ 500 V84 pF @ 100 V93 pF @ 100 V120 pF @ 500 V124 pF @ 100 V130 pF @ 400 V134 pF @ 400 V140 pF @ 100 V150 pF @ 500 V157 pF @ 400 V158 pF @ 400 V169 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
5W(Tc)6W(Tc)6.1W(Tc)6.2W(Tc)6.3W(Tc)6.4W(Tc)6.5W(Tc)6.7W(Tc)6.8W(Tc)6.9W(Tc)7W(Tc)7.1W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-
安装类型
-表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-ThinPak(5x6)-PG-DSO-20-85PG-DSO-20-87PG-HDSOP-10-1PG-HSOF-8-2PG-HSOF-8-3PG-LSON-8-1PG-SOT223PG-SOT223-3PG-SOT223-3-1PG-SOT223-4
封装/外壳
4-PowerTSFN8-LDFN 裸焊盘8-PowerSFN8-PowerTDFN10-PowerSOP 模块20-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽)-TO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3TO-247-4TO-251-3 短引线,IPAKTO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
414结果

显示
/ 414
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD50R3K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Infineon Technologies
13,054
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.45414
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
1.7A(Tc)
13V
3 欧姆 @ 400mA,13V
3.5V @ 30µA
4.3 nC @ 10 V
±20V
84 pF @ 100 V
-
26W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Infineon Technologies
19,135
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.95307
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1.1A,10V
3.5V @ 90µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 100 V
-
49W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-SOT223
IPN80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Infineon Technologies
8,198
现货
1 : ¥6.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.31698
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.9A(Tc)
10V
3.3 欧姆 @ 590mA,10V
3.5V @ 30µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
120 pF @ 500 V
-
6.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD60R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Infineon Technologies
1,951
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.55564
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
6A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 1.7A,10V
4V @ 80µA
9 nC @ 10 V
±20V
363 pF @ 400 V
-
30W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD70R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Infineon Technologies
2,780
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.69743
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
8.5A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 1.8A,10V
3.5V @ 90µA
10.5 nC @ 10 V
±16V
364 pF @ 400 V
-
43W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD50R500CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Infineon Technologies
41,259
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.96866
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
7.6A(Tc)
13V
500 毫欧 @ 2.3A,13V
3.5V @ 200µA
18.7 nC @ 10 V
±20V
433 pF @ 100 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-SOT223
IPN95R3K7P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Infineon Technologies
2,965
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.85102
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
2A(Tc)
10V
3.7 欧姆 @ 800mA,10V
3.5V @ 40µA
6 nC @ 10 V
±20V
196 pF @ 400 V
-
6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Infineon Technologies
106,416
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.27425
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
12.5A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 3A,10V
3.5V @ 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
59.4W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD50R380CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Infineon Technologies
21,843
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.67828
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
14.1A(Tc)
13V
380 毫欧 @ 3.2A,13V
3.5V @ 260µA
24.8 nC @ 10 V
±20V
584 pF @ 100 V
-
98W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD95R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Infineon Technologies
757
现货
1 : ¥9.60000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.98954
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
4A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 1.7A,10V
3.5V @ 80µA
10 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 400 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
4,060
现货
1 : ¥9.93000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
9A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 2.7A,10V
4V @ 140µA
13 nC @ 10 V
±20V
555 pF @ 400 V
-
22W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO252-3
IPD60R280P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Infineon Technologies
3,464
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.22381
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 3.8A,10V
4V @ 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-SOT223
IPN95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Infineon Technologies
5,868
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.26456
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
6A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2.7A,10V
3.5V @ 140µA
15 nC @ 10 V
±20V
478 pF @ 400 V
-
7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD80R900P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Infineon Technologies
4,884
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.52033
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
6A(Tc)
10V
900 毫欧 @ 2.2A,10V
3.5V @ 110µA
15 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 500 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Infineon Technologies
2,092
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.56012
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
5.7A(Tc)
10V
950 毫欧 @ 3.6A,10V
3.9V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 100 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R360P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Infineon Technologies
5,241
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.23674
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
9A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 2.7A,10V
4V @ 140µA
13 nC @ 10 V
±20V
555 pF @ 400 V
-
41W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R180P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Infineon Technologies
35,885
现货
1 : ¥13.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.57628
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
18A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 5.6A,10V
4V @ 280µA
25 nC @ 10 V
±20V
1081 pF @ 400 V
-
72W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R380P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Infineon Technologies
2,493
现货
1 : ¥14.28000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.43130
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
10.6A(Tc)
10V
380 毫欧 @ 3.8A,10V
4.5V @ 320µA
19 nC @ 10 V
±20V
877 pF @ 100 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-Power TDFN
IPL60R360P6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥15.35000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.65650
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11.3A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 4.5A,10V
4.5V @ 370µA
22 nC @ 10 V
±20V
1010 pF @ 100 V
-
89.3W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-ThinPak(5x6)
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Infineon Technologies
3,862
现货
1 : ¥17.49000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.28003
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 3.8A,10V
4V @ 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO252-3
IPD60R180P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Infineon Technologies
4,796
现货
1 : ¥18.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.29056
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
18A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 5.6A,10V
4V @ 280µA
25 nC @ 10 V
±20V
1081 pF @ 400 V
-
72W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Infineon Technologies
3,300
现货
1 : ¥22.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 7.6A,10V
4.5V @ 630µ
11 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO252-3
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Infineon Technologies
8,537
现货
1 : ¥23.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.35803
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
17A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 7.2A,10V
3.5V @ 360µA
36 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 500 V
-
101W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
SPP11N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Infineon Technologies
975
现货
1 : ¥27.09000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
11A(Tc)
10V
380 毫欧 @ 7A,10V
3.9V @ 500µA
60 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R160P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Infineon Technologies
244
现货
1 : ¥29.06000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.01465
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
23.8A(Tc)
10V
160 毫欧 @ 9A,10V
4.5V @ 750µA
44 nC @ 10 V
±20V
2080 pF @ 100 V
-
176W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。