Name: IPB60R160P6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB60R160P6ATMA1TR-ND
Price: 39.53 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IPB60R160P6ATMA1
DigiKey 零件编号	448-IPB60R160P6ATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IPB60R160P6ATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IPB60R160P6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPB60R160P6ATMA1
描述	MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
原厂标准交货期	17 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO263-3
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPB60R160P6ATMA1 型号

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 750µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 44 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™ P6	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2080 pF @ 100 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 176W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 PG-TO263-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 23.8A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPB60R160
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 160 毫欧 @ 9A，10V