Name: IPD80R1K0CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K0CEATMA1TR-ND
Price: 20.84 CNY
Availability: InStock

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IPD80R1K0CEATMA1
DigiKey 零件编号	IPD80R1K0CEATMA1TR-ND - 卷带（TR） IPD80R1K0CEATMA1CT-ND - 剪切带（CT） IPD80R1K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPD80R1K0CEATMA1
描述	MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 800 V 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPD80R1K0CEATMA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 250µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 31 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™ CE	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 785 pF @ 100 V
零件状态不适用于新设计	功率耗散（最大值） 83W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 800 V	供应商器件封装 PG-TO252-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.7A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPD80R1
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 950 毫欧 @ 3.6A，10V