Name: IPD70R600P7SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD70R600P7SAUMA1TR-ND
Price: 10.09 CNY
Availability: OutOfStock

IPD70R600P7SAUMA1 没有现货，但可以进行缺货下单。

可用替代品:

类似

STMicroelectronics

现货: 2,519

单价: ¥22.25000

类似

STMicroelectronics

现货: 2,238

单价: ¥16.21000

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IPD70R600P7SAUMA1
DigiKey 零件编号	IPD70R600P7SAUMA1TR-ND - 卷带（TR） IPD70R600P7SAUMA1CT-ND - 剪切带（CT） IPD70R600P7SAUMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPD70R600P7SAUMA1
描述	MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
原厂标准交货期	48 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 700 V 8.5A（Tc） 43W（Tc） PG-TO252-3
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPD70R600P7SAUMA1 型号

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 90µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 10.5 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™ P7	Vgs（最大值） ±16V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 364 pF @ 400 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 43W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 700 V	供应商器件封装 PG-TO252-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8.5A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPD70
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 600 毫欧 @ 1.8A，10V

报告产品信息错误

文档与媒体

环境与出口分类

其他资源

替代品 (2)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
STD11N65M5	STMicroelectronics	2,519	497-12935-1-ND	¥22.25000	类似
STD8N60DM2	STMicroelectronics	2,238	497-16930-1-ND	¥16.21000	类似

现货: 0

查看交期

申请库存通知

数量

所有价格均以 CNY 计算

剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带

* 所有 Digi-Reel® 订单会收取 ¥49.00 卷盘费。

卷带（TR）