Name: IPL60R360P6SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL60R360P6SATMA1TR-ND
Price: 19.43 CNY
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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IPL60R360P6SATMA1
DigiKey 零件编号	IPL60R360P6SATMA1TR-ND - 卷带（TR） IPL60R360P6SATMA1CT-ND - 剪切带（CT） IPL60R360P6SATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPL60R360P6SATMA1
描述	MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 11.3A（Tc） 89.3W（Tc） 8-ThinPak（5x6）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPL60R360P6SATMA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 370µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 22 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™ P6	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1010 pF @ 100 V
零件状态最后售卖	功率耗散（最大值） 89.3W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 8-ThinPak（5x6）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11.3A（Tc）	封装/外壳 8-PowerTDFN
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPL60R360
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 360 毫欧 @ 4.5A，10V