8.8A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 20
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Vishay Siliconix
系列
-PowerTrench®SIPMOS®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V20 V30 V40 V60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,10V1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12 毫欧 @ 11.4A,10V12 毫欧 @ 12.4A,10V12 毫欧 @ 8.8A,4.5V12.5 毫欧 @ 11.7A,10V12.5 毫欧 @ 8.8A,4.5V14 毫欧 @ 10A,4.5V15 毫欧 @ 8.8A,10V17 毫欧 @ 8A,10V18 毫欧 @ 8.8A,10V20 毫欧 @ 8.8A,10V300 毫欧 @ 6.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)800mV @ 250µA(最小)1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10.5 nC @ 5 V13 nC @ 10 V19 nC @ 4.5 V22 nC @ 4.5 V24 nC @ 5 V40 nC @ 10 V43 nC @ 10 V44 nC @ 10 V66 nC @ 4.5 V70 nC @ 4.5 V80 nC @ 4.5 V100 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
420 pF @ 25 V1392 pF @ 15 V1604 pF @ 15 V1845 pF @ 15 V1849 pF @ 15 V2030 pF @ 25 V2200 pF @ 10 V3640 pF @ 16 V5045 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
1W(Ta)1.3W(Ta)1.5W(Ta)1.54W(Ta)1.6W(Ta)1.9W(Ta),12.5W(Tc)2W(Ta)2.1W(Ta)2.5W(Ta)42W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
6-TSOP8-SO8-SOIC8-SOP8-TSSOPDFN2020M-6PG-TO263-3PG-TO263-3-2
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)SC-74,SOT-457TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
onsemi
22,921
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.13148
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V8.8A(Ta)4.5V,10V20 毫欧 @ 8.8A,10V3V @ 250µA40 nC @ 10 V±25V1845 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SOIC
NTMS10P02R2G
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
onsemi
3,135
现货
1 : ¥13.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.91963
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V8.8A(Ta)2.5V,4.5V14 毫欧 @ 10A,4.5V1.2V @ 250µA70 nC @ 4.5 V±12V3640 pF @ 16 V-1.6W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4435DY
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
onsemi
42,359
现货
1 : ¥8.05000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.31158
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V8.8A(Ta)4.5V,10V20 毫欧 @ 8.8A,10V3V @ 250µA24 nC @ 5 V±20V1604 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4425BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Vishay Siliconix
2,666
现货
1 : ¥15.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.46486
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V8.8A(Ta)4.5V,10V12 毫欧 @ 11.4A,10V3V @ 250µA100 nC @ 10 V±20V--1.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SO
DMG4710SSS-13
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
Diodes Incorporated
496
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V8.8A(Ta)4.5V,10V12.5 毫欧 @ 11.7A,10V2.3V @ 250µA43 nC @ 10 V±12V1849 pF @ 15 V肖特基二极管(体)1.54W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4425BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.20910
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V8.8A(Ta)4.5V,10V12 毫欧 @ 11.4A,10V3V @ 250µA100 nC @ 10 V±20V--1.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOP
PJL9421_R2_00001
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
0
现货
查看交期
2,500 : ¥2.07949
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V8.8A(Ta)4.5V,10V17 毫欧 @ 8A,10V2.5V @ 250µA19 nC @ 4.5 V±20V2030 pF @ 25 V-2.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOP8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SOIC
NTMS10P02R2
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V8.8A(Ta)2.5V,4.5V14 毫欧 @ 10A,4.5V1.2V @ 250µA70 nC @ 4.5 V±12V3640 pF @ 16 V-1.6W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS4435
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V8.8A(Ta)4.5V,10V20 毫欧 @ 8.8A,10V3V @ 250µA24 nC @ 5 V±25V1604 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS6685
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V8.8A(Ta)4.5V,10V20 毫欧 @ 8.8A,10V3V @ 250µA24 nC @ 5 V±25V1604 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-TSSOP
FDW252P
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8TSSOP
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V8.8A(Ta)2.5V,4.5V12.5 毫欧 @ 8.8A,4.5V1.5V @ 250µA66 nC @ 4.5 V±12V5045 pF @ 10 V-1.3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-TSSOP8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SPB08P06P
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V8.8A(Ta)10V300 毫欧 @ 6.2A,10V4V @ 250µA13 nC @ 10 V±20V420 pF @ 25 V-42W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型PG-TO263-3-2TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SPB08P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V8.8A(Ta)10V300 毫欧 @ 6.2A,10V4V @ 250µA13 nC @ 10 V±20V420 pF @ 25 V-42W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型PG-TO263-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
6-TSOP
AO6408
MOSFET N-CH 20V 8.8A 6TSOP
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V8.8A(Ta)1.8V,10V18 毫欧 @ 8.8A,10V1V @ 250µA22 nC @ 4.5 V±12V2200 pF @ 10 V-2W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSOPSC-74,SOT-457
8-SOIC
FDS4435BZ-F085
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V8.8A(Ta)4.5V,10V20 毫欧 @ 8.8A,10V3V @ 250µA40 nC @ 10 V±25V1845 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4892DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V8.8A(Ta)4.5V,10V12 毫欧 @ 12.4A,10V800mV @ 250µA(最小)10.5 nC @ 5 V±20V--1.6W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4892DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V8.8A(Ta)4.5V,10V12 毫欧 @ 12.4A,10V800mV @ 250µA(最小)10.5 nC @ 5 V±20V--1.6W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-TSSOP 8-MSOP
SI6465DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)8 V8.8A(Ta)1.8V,4.5V12 毫欧 @ 8.8A,4.5V450mV @ 250µA(最小)80 nC @ 4.5 V±8V--1.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-TSSOP8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
6-DFN2020MD_View 2
PMPB12R5EPX
PMPB12R5EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
Nexperia USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V8.8A(Ta)4.5V,10V15 毫欧 @ 8.8A,10V2V @ 250µA44 nC @ 10 V±20V1392 pF @ 15 V-1.9W(Ta),12.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DFN2020M-66-UDFN 裸露焊盘
8 SOIC
FDS4435BZ-G
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V8.8A(Ta)4.5V,10V20 毫欧 @ 8.8A,10V3V @ 250µA40 nC @ 10 V±25V1845 pF @ 15 V-1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
/ 20

8.8A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。