SPB08P06PGATMA1 已经过时且不再制造。
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SPB80P06PGATMA1
Infineon Technologies
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单价: ¥35.46000
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SPB08P06PGATMA1

DigiKey 零件编号
SPB08P06PGATMA1TR-ND - 卷带（TR）
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
SPB08P06PGATMA1
描述
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 P 通道 60 V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-3
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带（TR）
零件状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
300 毫欧 @ 6.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
420 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号
SPB08P
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