NTMS10P02R2 onsemi | 分立半导体产品

NTMS10P02R2
DigiKey 零件编号	NTMS10P02R2OSTR-ND - 卷带（TR） NTMS10P02R2OSCT-ND - 剪切带（CT）
制造商	onsemi
制造商产品编号	NTMS10P02R2
描述	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 20 V 8.8A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SOIC
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NTMS10P02R2 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
零件状态	停产
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	14 毫欧 @ 10A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	70 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3640 pF @ 16 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.6W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SOIC
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号	NTMS10

NTMS10P02R2