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FDS4435 已经过时且不再制造。
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FDS4435 | ||
|---|---|---|
DigiKey 零件编号 | FDS4435TR-ND - 卷带（TR） FDS4435CT-ND - 剪切带（CT） | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | FDS4435 | |
描述 | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 表面贴装型 P 通道 30 V 8.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC | |
规格书 | 规格书 | |
EDA/CAD 模型 | FDS4435 型号 | |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 30 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 8.8A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 24 nC @ 5 V | |
Vgs（最大值） | ±25V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1604 pF @ 15 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | 8-SOIC | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
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