21A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

BSZ520N15NS3GATMA1 MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON Infineon Technologies	15,462 现货	1 : ¥13.17000 剪切带（CT） 5,000 : ¥5.19420 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	21A（Tc）	8V，10V	52 毫欧 @ 18A，10V	4V @ 35µA	12 nC @ 10 V	±20V	890 pF @ 75 V	-	57W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TSDSON-8	8-PowerTDFN
IRFP9140PBF MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3 Vishay Siliconix	2,138 现货	1 : ¥23.17000 管件	-	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	21A（Tc）	10V	200 毫欧 @ 13A，10V	4V @ 250µA	61 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	180W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
STL33N60DM2 MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV STMicroelectronics	2,495 现货	1 : ¥39.67000 剪切带（CT） 3,000 : ¥19.31517 卷带（TR）	MDmesh™ DM2	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	21A（Tc）	10V	140 毫欧 @ 10.5A，10V	5V @ 250µA	43 nC @ 10 V	±25V	1870 pF @ 100 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerFlat™（8x8）HV	8-PowerVDFN
IPB60R165CPATMA1 MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3 Infineon Technologies	5,043 现货	1 : ¥40.08000 剪切带（CT） 1,000 : ¥20.72679 卷带（TR）	CoolMOS™ CP	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	21A（Tc）	10V	165 毫欧 @ 12A，10V	3.5V @ 790µA	52 nC @ 10 V	±20V	2000 pF @ 100 V	-	192W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-3-2	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IPL65R099C7AUMA1 MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON Infineon Technologies	9,207 现货	1 : ¥50.49000 剪切带（CT） 3,000 : ¥24.58383 卷带（TR）	CoolMOS™ C7	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	21A（Tc）	10V	99 毫欧 @ 5.9A，10V	4V @ 590µA	45 nC @ 10 V	±20V	2140 pF @ 400 V	-	128W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-VSON-4	4-PowerTSFN
G3R160MT17D SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3 GeneSiC Semiconductor	1,079 现货	1 : ¥100.48000 管件	G3R™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1700 V	21A（Tc）	15V	208 毫欧 @ 12A，15V	2.7V @ 5mA	51 nC @ 15 V	±15V	1272 pF @ 1000 V	-	175W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
DMP3028LPSQ-13 MOSFET P-CH 30V 21A PWRDI5060-8 Diodes Incorporated	5,944 现货 490,000 工厂	1 : ¥7.48000 剪切带（CT） 2,500 : ¥2.83865 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	21A（Tc）	4.5V，10V	28 毫欧 @ 7A，10V	2.4V @ 250µA	22 nC @ 10 V	±20V	1372 pF @ 15 V	-	1.28W	-55°C ~ 150°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
BSC520N15NS3GATMA1 MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5 Infineon Technologies	11,395 现货	1 : ¥12.44000 剪切带（CT） 5,000 : ¥5.39597 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	21A（Tc）	8V，10V	52 毫欧 @ 18A，10V	4V @ 35µA	12 nC @ 10 V	±20V	890 pF @ 75 V	-	57W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TDSON-8-5	8-PowerTDFN
IPD530N15N3GATMA1 MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 Infineon Technologies	2,615 现货	1 : ¥12.76000 剪切带（CT） 2,500 : ¥5.76292 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	21A（Tc）	8V，10V	53 毫欧 @ 18A，10V	4V @ 35µA	12 nC @ 10 V	±20V	887 pF @ 75 V	-	68W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO252-3	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FDPF320N06L MOSFET N-CH 60V 21A TO220F onsemi	602 现货	1 : ¥15.85000 管件	PowerTrench®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	21A（Tc）	5V，10V	25 毫欧 @ 21A，10V	2.5V @ 250µA	30.2 nC @ 10 V	±20V	1470 pF @ 25 V	-	26W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
SIHB24N80AE-GE3 MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK Vishay Siliconix	579 现货	1 : ¥27.80000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	21A（Tc）	-	184 毫欧 @ 10A，10V	4V @ 250µA	89 nC @ 10 V	±30V	1836 pF @ 100 V	-	208W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
STB28N60DM2 MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK STMicroelectronics	1,267 现货	1 : ¥27.89000 剪切带（CT） 1,000 : ¥14.42380 卷带（TR）	MDmesh™ DM2	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	21A（Tc）	10V	160 毫欧 @ 10.5A，10V	5V @ 250µA	34 nC @ 10 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	170W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SCT3120ALGC11 SICFET N-CH 650V 21A TO247N Rohm Semiconductor	6,516 现货	1 : ¥71.54000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	21A（Tc）	18V	156 毫欧 @ 6.7A，18V	5.6V @ 3.33mA	38 nC @ 18 V	+22V，-4V	460 pF @ 500 V	-	103W（Tc）	175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247N	TO-247-3
SI7454DDP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	6,879 现货	1 : ¥12.19000 剪切带（CT） 3,000 : ¥5.04370 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	21A（Tc）	4.5V，10V	33 毫欧 @ 10A，10V	3V @ 250µA	19.5 nC @ 10 V	±20V	550 pF @ 50 V	-	4.1W（Ta），29.7W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SIHP24N80AE-GE3 MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB Vishay Siliconix	1,777 现货	1 : ¥26.10000 管件	E	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	21A（Tc）	10V	184 毫欧 @ 10A，10V	4V @ 250µA	89 nC @ 10 V	±30V	1836 pF @ 100 V	-	208W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
SIHB22N60ET1-GE3 MOSFET N-CH 600V 21A TO263 Vishay Siliconix	555 现货	1 : ¥27.89000 剪切带（CT） 800 : ¥16.81638 卷带（TR）	E	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	21A（Tc）	10V	180 毫欧 @ 11A，10V	4V @ 250µA	86 nC @ 10 V	±30V	1920 pF @ 100 V	-	227W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
STP28N60DM2 MOSFET N-CH 600V 21A TO220 STMicroelectronics	220 现货	1 : ¥30.49000 管件	MDmesh™ DM2	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	21A（Tc）	10V	160 毫欧 @ 10.5A，10V	5V @ 250µA	34 nC @ 10 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	170W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
SIHF22N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 21A TO220 Vishay Siliconix	965 现货	1 : ¥31.54000 管件	E	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	21A（Tc）	10V	180 毫欧 @ 11A，10V	4V @ 250µA	86 nC @ 10 V	±30V	1920 pF @ 100 V	-	35W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220 整包	TO-220-3 整包
STW28N60DM2 MOSFET N-CH 600V 21A TO247 STMicroelectronics	596 现货	1 : ¥33.01000 管件	MDmesh™ DM2	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	21A（Tc）	10V	160 毫欧 @ 10.5A，10V	5V @ 250µA	34 nC @ 10 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	170W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
SIHG22N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC Vishay Siliconix	476 现货	1 : ¥34.80000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	21A（Tc）	10V	180 毫欧 @ 11A，10V	4V @ 250µA	86 nC @ 10 V	±30V	1920 pF @ 100 V	-	227W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
SPP21N50C3XKSA1 MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3 Infineon Technologies	2,469 现货	1 : ¥34.96000 管件	CoolMOS™	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	21A（Tc）	10V	190 毫欧 @ 13.1A，10V	3.9V @ 1mA	95 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 25 V	-	208W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO220-3-1	TO-220-3
SPB21N50C3ATMA1 MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3 Infineon Technologies	2,903 现货	1 : ¥36.34000 剪切带（CT） 1,000 : ¥18.77245 卷带（TR）	CoolMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	560 V	21A（Tc）	10V	190 毫欧 @ 13.1A，10V	3.9V @ 1mA	95 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 25 V	-	208W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-3-2	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IPW60R165CPFKSA1 MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3 Infineon Technologies	240 现货	1 : ¥45.53000 管件	CoolMOS™	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	21A（Tc）	10V	165 毫欧 @ 12A，10V	3.5V @ 790µA	52 nC @ 10 V	±20V	2000 pF @ 100 V	-	192W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3-1	TO-247-3
STF28NM50N MOSFET N-CH 500V 21A TO220FP STMicroelectronics	1,605 现货	1 : ¥49.92000 管件	MDmesh™ II	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	21A（Tc）	10V	158 毫欧 @ 10.5A，10V	4V @ 250µA	50 nC @ 10 V	±25V	1735 pF @ 25 V	-	35W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220FP	TO-220-3 整包
STB28NM50N MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK STMicroelectronics	1,000 现货	1 : ¥53.01000 剪切带（CT） 1,000 : ¥30.04488 卷带（TR）	MDmesh™ II	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	21A（Tc）	10V	158 毫欧 @ 10.5A，10V	4V @ 250µA	50 nC @ 10 V	±25V	1735 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB