Name: IPL65R099C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND
Price: 50.49 CNY
Availability: InStock

IPL65R099C7AUMA1
DigiKey 零件编号	448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IPL65R099C7AUMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IPL65R099C7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPL65R099C7AUMA1
描述	MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
原厂标准交货期	17 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 21A（Tc） 128W（Tc） PG-VSON-4
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	CoolMOS™ C7
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	99 毫欧 @ 5.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 590µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2140 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	128W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-VSON-4
封装/外壳	4-PowerTSFN
基本产品编号	IPL65R099

IPL65R099C7AUMA1