单 FET,MOSFET

结果 : 212
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
200 V300 V400 V500 V550 V600 V640 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
650mA(Ta),2.2A(Tc)2.1A(Ta),12A(Tc)2.7A(Ta),19A(Tc)2.8A(Ta),14A(Tc)3.3A(Ta),16A(Tc)3.3A(Tc)4.6A(Tc)5A(Tc)5.6A(Tc)5.75A(Tc)5.8A(Tc)6.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
22 毫欧 @ 52A,10V29 毫欧 @ 49A,10V35 毫欧 @ 37A,10V43 毫欧 @ 34A,10V49 毫欧 @ 32.5A,10V54 毫欧 @ 27A,10V60 毫欧 @ 22.5A,10V60 毫欧 @ 25.5A,10V70 毫欧 @ 20A,10V85 毫欧 @ 18.5A,10V88 毫欧 @ 17.5A,10V90 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100µA4V @ 250mA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.5 nC @ 10 V12 nC @ 10 V13 nC @ 10 V14 nC @ 10 V17 nC @ 10 V17.4 nC @ 10 V19 nC @ 10 V25 nC @ 10 V27 nC @ 10 V29 nC @ 10 V30 nC @ 10 V30.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V25V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
188 pF @ 50 V363 pF @ 50 V364 pF @ 50 V365 pF @ 50 V400 pF @ 50 V415 pF @ 25 V420 pF @ 50 V450 pF @ 50 V452 pF @ 50 V540 pF @ 50 V547 pF @ 50 V560 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
125mW(Ta),3W(Tc)2W(Ta),22W(Tc)3W(Ta),110W(Tc)3W(Ta),125W(Tc)3W(Ta),90W(Tc)20W(Tc)25W(Tc)30W(Tc)35W(Tc)40W(Tc)45W(Tc)50W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
14-PowerFLAT™(5x5)D2PAKDPAKI2PAKIPAKMAX247™PowerFLAT™(5x5)PowerFlat™(3.3x3.3)PowerFlat™(5x6)PowerFlat™(8x8)HVTO-220TO-220FPTO-247-3TO-251(IPAK)
封装/外壳
8-PowerVDFN14-PowerVQFNTO-220-3 整包TO-220-3TO-220-5 整包TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 全封装,I2PAKTO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
212结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_DPAK(TO252-3)
STD10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
STMicroelectronics
7,127
现货
1 : ¥22.11000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.76609
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V10A(Tc)10V550 毫欧 @ 4A,10V4V @ 250µA19 nC @ 10 V±25V540 pF @ 50 V-70W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STMicroelectronics
7,088
现货
1 : ¥23.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.43920
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V11A(Tc)10V360 毫欧 @ 5.5A,10V4V @ 250µA30 nC @ 10 V±25V790 pF @ 50 V-90W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-F
STF26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
STMicroelectronics
551
现货
1 : ¥57.32000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V20A(Tc)10V165 毫欧 @ 10A,10V4V @ 250µA60 nC @ 10 V±30V1800 pF @ 50 V-35W(Tc)150°C(TJ)--通孔TO-220FPTO-220-3 整包
MFG_DPAK(TO252-3)
STD7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
STMicroelectronics
5,844
现货
1 : ¥13.25000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.46849
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V5A(Tc)10V900 毫欧 @ 2.5A,10V4V @ 250µA14 nC @ 10 V±25V363 pF @ 50 V-45W(Tc)150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD8NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
STMicroelectronics
3,712
现货
1 : ¥17.56000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.92851
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V5A(Tc)10V790 毫欧 @ 2.5A,10V4V @ 250µA14 nC @ 10 V±25V364 pF @ 50 V-45W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220FP
STF13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
STMicroelectronics
1,164
现货
1 : ¥23.56000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V11A(Tc)10V360 毫欧 @ 5.5A,10V4V @ 250µA30 nC @ 10 V±25V790 pF @ 50 V-25W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220FPTO-220-3 整包
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STB14NM50N
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
STMicroelectronics
1,455
现货
1 : ¥31.63000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.33391
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V12A(Tc)10V320 毫欧 @ 6A,10V4V @ 100µA27 nC @ 10 V±25V816 pF @ 50 V-90W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
STP26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
STMicroelectronics
950
现货
1 : ¥49.75000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V20A(Tc)10V165 毫欧 @ 10A,10V4V @ 250µA60 nC @ 10 V±30V1800 pF @ 50 V-140W(Tc)150°C(TJ)--通孔TO-220TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW32NM50N
MOSFET N CH 500V 22A TO-247
STMicroelectronics
254
现货
1 : ¥50.81000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V22A(Tc)10V130 毫欧 @ 11A,10V4V @ 250µA62.5 nC @ 10 V±25V1973 pF @ 50 V-190W(Tc)150°C(TJ)--通孔TO-247-3TO-247-3
D2Pak
STB26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
STMicroelectronics
2,065
现货
1 : ¥54.63000
剪切带(CT)
1,000 : ¥30.98380
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V20A(Tc)10V165 毫欧 @ 10A,10V4V @ 250µA60 nC @ 10 V±30V1800 pF @ 50 V-140W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 HiP
STW26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ.,
STMicroelectronics
195
现货
1 : ¥58.62000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V20A(Tc)10V165 毫欧 @ 10A,10V4V @ 250µA60 nC @ 10 V±30V1800 pF @ 50 V-140W(Tc)150°C(TJ)--通孔TO-247-3TO-247-3
TO-220-3
STP34NM60N
MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3
STMicroelectronics
392
现货
1 : ¥78.45000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V29A(Tc)10V105 毫欧 @ 14.5A,10V4V @ 250µA80 nC @ 10 V±25V2722 pF @ 100 V-250W(Tc)150°C(TJ)--通孔TO-220TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW34NM60N
MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
STMicroelectronics
764
现货
1 : ¥82.84000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V29A(Tc)10V105 毫欧 @ 14.5A,10V4V @ 250µA80 nC @ 10 V±25V2722 pF @ 100 V-250W(Tc)150°C(TJ)--通孔TO-247-3TO-247-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD9NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
STMicroelectronics
1,376
现货
1 : ¥10.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.55164
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V5A(Tc)10V790 毫欧 @ 2.5A,10V4V @ 250µA14 nC @ 10 V±25V570 pF @ 50 V-45W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D²PAK
STB7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
STMicroelectronics
1,888
现货
1 : ¥12.60000
剪切带(CT)
1,000 : ¥5.98112
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V5A(Tc)10V900 毫欧 @ 2.5A,10V4V @ 250mA14 nC @ 10 V±25V363 pF @ 50 V-45W(Tc)150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8PowerVDFN
STL3NM60N
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
STMicroelectronics
8,758
现货
1 : ¥13.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.86969
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V650mA(Ta),2.2A(Tc)10V1.8 欧姆 @ 1A,10V4V @ 250µA9.5 nC @ 10 V±25V188 pF @ 50 V-2W(Ta),22W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerFlat™(3.3x3.3)8-PowerVDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD14NM50NAG
MOSFET N-CH 500V 12A DPAK
STMicroelectronics
2,309
现货
1 : ¥15.69000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.09198
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V12A(Tc)10V320 毫欧 @ 6A,10V4V @ 250µA27 nC @ 10 V±25V816 pF @ 50 V-90W150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD7NM60N
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
STMicroelectronics
11,347
现货
1 : ¥16.99000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.66423
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V5A(Tc)10V900 毫欧 @ 2.5A,10V4V @ 250µA14 nC @ 10 V±25V363 pF @ 50 V-45W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
STP8NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
STMicroelectronics
988
现货
1 : ¥18.45000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V5A(Tc)10V790 毫欧 @ 2.5A,10V4V @ 250µA14 nC @ 10 V±25V364 pF @ 50 V-45W(Tc)150°C(TJ)--通孔TO-220TO-220-3
TO-220-3
STP18NM60N
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
STMicroelectronics
1,374
现货
1 : ¥21.38000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V13A(Tc)10V285 毫欧 @ 6.5A,10V4V @ 250µA35 nC @ 10 V±25V1000 pF @ 50 V-110W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220TO-220-3
TO-220-F
STF18NM60N
MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
STMicroelectronics
932
现货
1 : ¥22.76000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V13A(Tc)10V285 毫欧 @ 6.5A,10V4V @ 250µA35 nC @ 10 V±25V1000 pF @ 50 V-30W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220FPTO-220-3 整包
TO-220-3
STP10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
STMicroelectronics
1,256
现货
1 : ¥24.55000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V10A(Tc)10V550 毫欧 @ 4A,10V4V @ 250µA19 nC @ 10 V±25V540 pF @ 50 V-70W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220TO-220-3
TO-220-F
STF10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
STMicroelectronics
546
现货
1 : ¥24.88000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V10A(Tc)10V550 毫欧 @ 4A,10V4V @ 250µA19 nC @ 10 V±25V540 pF @ 50 V-25W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220FPTO-220-3 整包
MFG_DPAK(TO252-3)
STD11NM65N
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
STMicroelectronics
4,162
现货
1 : ¥26.83000
剪切带(CT)
2,500 : ¥13.07311
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V11A(Tc)10V455 毫欧 @ 5.5A,10V4V @ 250µA29 nC @ 10 V±25V800 pF @ 50 V-110W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-F
STF14NM50N
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
STMicroelectronics
940
现货
1 : ¥30.29000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V12A(Tc)10V320 毫欧 @ 6A,10V4V @ 100µA27 nC @ 10 V±25V816 pF @ 50 V-25W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220FPTO-220-3 整包
显示
/ 212

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。