IPTC015N10NM5ATMA1 Infineon Technologies | 分立半导体产品

IPTC015N10NM5ATMA1 已经过时且不再制造。

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Infineon Technologies

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单价: ¥58.62000

IPTC015N10NM5ATMA1
DigiKey 零件编号	448-IPTC015N10NM5ATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IPTC015N10NM5ATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IPTC015N10NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPTC015N10NM5ATMA1
描述	MOSFET N-CH 100V 35A/354A HDSOP
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 35A（Ta），354A（Tc） 3.8W（Ta），375W（Tc） PG-HDSOP-16-2
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPTC015N10NM5ATMA1 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™ 5
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	35A（Ta），354A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.5 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.8V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	208 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	16000 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.8W（Ta），375W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-HDSOP-16-2
封装/外壳	16-PowerSOP 模块
基本产品编号	IPTC015N