Name: IPT015N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 39.94 CNY
Availability: InStock

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IPT015N10NF2SATMA1
DigiKey 零件编号	448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IPT015N10NF2SATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IPT015N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPT015N10NF2SATMA1
描述	MOSFET
原厂标准交货期	17 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 35A（Ta），315A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） PG-HSOF-8-10
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPT015N10NF2SATMA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.5 毫欧 @ 150A，10V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.8V @ 267µA
系列 StrongIRFET™ 2	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 242 nC @ 10 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 11000 pF @ 50 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），300W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 100 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 35A（Ta），315A（Tc）	供应商器件封装 PG-HSOF-8-10
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V	封装/外壳 8-PowerSFN