16-PowerSOP 模块 单 FET，MOSFET

结果 : 21
制造商
Infineon TechnologiesTransphorm
系列
OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6OptiMOS™5SuperGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产最后售卖在售
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V120 V150 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16.2A（Ta），122A（Tc）17.5A（Ta），143A（Tc）19.4A（Ta），174A（Tc）21A（Ta），190A（Tc）26A（Ta），222A（Tc）29A（Tc）31A（Ta），279A（Tc）32A（Ta），331A（Tc）35A（Ta），354A（Tc）37A（Ta），330A（Tc）37A（Ta），365A（Tc）40A（Ta），396A（Tc）41A（Ta），311A（Tc）42A（Ta），408A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V8V，10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.75 毫欧 @ 150A，10V1.1 毫欧 @ 100A，10V1.1 毫欧 @ 150A，10V1.2 毫欧 @ 100A，10V1.4 毫欧 @ 100A，10V1.4 毫欧 @ 150A，10V1.5 毫欧 @ 100A，10V1.7 毫欧 @ 150A，10V1.9 毫欧 @ 100A，10V2.6 毫欧 @ 115A，10V3.9 毫欧 @ 50A，10V4.4 毫欧 @ 50A，10V5.4 毫欧 @ 50A，10V6.3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.3V @ 143µA3.3V @ 280µA3.6V @ 169µA3.6V @ 275µA3.8V @ 210µA3.8V @ 230µA3.8V @ 275µA3.8V @ 280µA4.6V @ 163µA4.6V @ 191µA4.6V @ 235µA4.6V @ 243µA4.8V @ 700µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 10 V63 nC @ 10 V73 nC @ 10 V88 nC @ 10 V89 nC @ 10 V93 nC @ 10 V133 nC @ 10 V141 nC @ 10 V160 nC @ 10 V166 nC @ 10 V180 nC @ 10 V187 nC @ 10 V208 nC @ 10 V211 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
638 pF @ 400 V4800 pF @ 75 V5700 pF @ 75 V6500 pF @ 60 V7000 pF @ 75 V7300 pF @ 75 V10000 pF @ 30 V11000 pF @ 60 V11830 pF @ 50 V12000 pF @ 50 V13000 pF @ 40 V13178 pF @ 40 V16000 pF @ 40 V16000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），214W（Tc）3.8W（Ta），250W（Tc）3.8W（Ta），278W（Tc）3.8W（Ta），300W（Tc）3.8W（Ta），319W（Tc）3.8W（Ta），375W（Tc）3.8W（Ta），395W（Tc）96W（Tc）300W（Tc）375W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HDSOP-16-2PG-HDSOP-16-U01TOLT
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
21结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 21
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N10S5N015TATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
1,329
现货
1 : ¥57.96000
剪切带（CT）
1,800 : ¥32.88633
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tj）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
216 nC @ 10 V
±20V
16011 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N08S5N011TATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
1,952
现货
1 : ¥59.60000
剪切带（CT）
1,800 : ¥33.78630
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
300A（Tj）
6V，10V
1.1 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
231 nC @ 10 V
±20V
16250 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
580
现货
1 : ¥62.64000
剪切带（CT）
1,800 : ¥35.50675
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
19.4A（Ta），174A（Tc）
8V，10V
4.4 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 235µA
89 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
2,673
现货
1 : ¥50.57000
剪切带（CT）
1,800 : ¥26.12634
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
52A（Ta），454A（Tc）
6V，10V
0.75 毫欧 @ 150A，10V
3.3V @ 280µA
261 nC @ 10 V
±20V
21000 pF @ 30 V
-
3.8W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-U01
16-PowerSOP 模块
IAUS300N08S5N012TATMA1
IPTC019N10NM5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
Infineon Technologies
1,416
现货
1 : ¥51.55000
剪切带（CT）
1,800 : ¥29.24288
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
31A（Ta），279A（Tc）
6V，10V
1.9 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 210µA
160 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
2,654
现货
1 : ¥63.46000
剪切带（CT）
1,800 : ¥36.01491
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
42A（Ta），408A（Tc）
6V，10V
1.1 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 280µA
223 nC @ 10 V
±20V
17000 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
IAUS300N08S5N012TATMA1
IPTC014N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 37A/330A HDSOP
Infineon Technologies
1,608
现货
1 : ¥50.73000
剪切带（CT）
1,800 : ¥28.78061
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
37A（Ta），330A（Tc）
6V，10V
1.4 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 230µA
180 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS260N10S5N019TATMA1
MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
3,765
现货
1 : ¥53.11000
剪切带（CT）
1,800 : ¥30.11887
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
260A（Tj）
6V，10V
1.9 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 210µA
166 nC @ 10 V
±20V
11830 pF @ 50 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N08S5N014TATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
5,863
现货
1 : ¥54.18000
剪切带（CT）
1,800 : ¥28.00062
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
300A（Tj）
6V，10V
1.4 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 230µA
187 nC @ 10 V
±20V
13178 pF @ 40 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
1,790
现货
1 : ¥42.61000
剪切带（CT）
1,800 : ¥22.04378
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
41A（Ta），311A（Tc）
6V，10V
1.2 毫欧 @ 100A，10V
3.3V @ 143µA
133 nC @ 10 V
±20V
10000 pF @ 30 V
-
3.8W（Ta），214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-U01
16-PowerSOP 模块
1,591
现货
1 : ¥61.98000
剪切带（CT）
1,800 : ¥35.13733
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
TP65H070G4RS-TR
TP65H070G4RS-TR
650 V 29 A GAN FET
Transphorm
1,982
现货
1 : ¥75.23000
剪切带（CT）
2,000 : ¥39.96570
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
29A（Tc）
10V
85 毫欧 @ 18A，10V
4.8V @ 700µA
9 nC @ 10 V
±20V
638 pF @ 400 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TOLT
16-PowerSOP 模块
IAUS300N08S5N012TATMA1
IPTC012N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP
Infineon Technologies
4,113
现货
1 : ¥63.46000
剪切带（CT）
1,800 : ¥36.01491
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
40A（Ta），396A（Tc）
6V，10V
1.2 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
219 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N08S5N012TATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥55.58000
剪切带（CT）
1,800 : ¥31.53306
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
300A（Tj）
6V，10V
1.2 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
231 nC @ 10 V
±20V
16250 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
0
现货
查看交期
1 : ¥59.19000
剪切带（CT）
1,800 : ¥33.58033
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
37A（Ta），365A（Tc）
6V，10V
1.4 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 280µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
0
现货
查看交期
1 : ¥65.67000
剪切带（CT）
1,800 : ¥37.24617
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
21A（Ta），190A（Tc）
8V，10V
3.9 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 243µA
93 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），319W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
0
现货
查看交期
1 : ¥51.43000
剪切带（CT）
1,800 : ¥29.15579
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
26A（Ta），222A（Tc）
8V，10V
2.6 毫欧 @ 115A，10V
3.6V @ 169µA
88 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 60 V
-
3.8W（Ta），278W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
0
现货
查看交期
1 : ¥49.99000
剪切带（CT）
1,800 : ¥25.83441
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
16.2A（Ta），122A（Tc）
8V，10V
6.3 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 163µA
63 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
0
现货
查看交期
1 : ¥53.36000
剪切带（CT）
1,800 : ¥27.58829
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
17.5A（Ta），143A（Tc）
8V，10V
5.4 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 191µA
73 nC @ 10 V
±20V
5700 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
IPTC017N12NM6ATMA1
IPTC017N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥60.91000
剪切带（CT）
1,800 : ¥34.55414
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
32A（Ta），331A（Tc）
8V，10V
1.7 毫欧 @ 150A，10V
3.6V @ 275µA
141 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 60 V
-
3.8W（Ta），395W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-U01
16-PowerSOP 模块
IAUS300N08S5N012TATMA1
IPTC015N10NM5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A/354A HDSOP
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
35A（Ta），354A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
208 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
显示
/ 21

16-PowerSOP 模块 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。