|
2N3904 晶体管是否已淘汰?
|
|
0
|
4
|
2026 年3 月 23 日
|
|
功率损失计算(第二部分):功率 MOSFET 开关时间区间的估算方法
|
|
0
|
18
|
2026 年3 月 13 日
|
|
功率损耗计算(第一部分):功率 MOSFET 开关时间区间的估算方法
|
|
0
|
56
|
2026 年3 月 12 日
|
|
尽管移植氮化鎓场效应晶体管(GaN FET)带来了性能优势,但同时带来了哪些挑战?
|
|
0
|
7
|
2026 年3 月 10 日
|
|
为什么在现代直流-直流转换器设计中,砷化镓场效应管(GaN FET)正在取代硅场效应管(Silicon FET)?
|
|
0
|
6
|
2026 年3 月 10 日
|
|
为什么传统的引导栅驱动器电路会在氮化镓(GaN)设计中引发问题?
|
|
0
|
3
|
2026 年3 月 10 日
|
|
小信号晶体管和大信号晶体管有什么区别?
|
|
0
|
8
|
2026 年3 月 10 日
|
|
MOSFET 与微控制器应用教学:为什么 MOSFET 与微控制器要共用同一个接地?
|
|
5
|
242
|
2025 年10 月 20 日
|
|
电流防倒灌 - 同时使用二极管 + MOS 管 + 理想二极管
|
|
0
|
160
|
2025 年9 月 11 日
|
|
电流防倒灌 - MOS 管 (MOSFET)
|
|
0
|
164
|
2025 年9 月 11 日
|
|
什么是电流倒灌 ?
|
|
0
|
122
|
2025 年9 月 11 日
|
|
N 沟道还是 P 沟道 MOSFET?
|
|
0
|
51
|
2025 年8 月 8 日
|
|
碳化硅电源设计注意事项
|
|
2
|
64
|
2025 年8 月 3 日
|
|
为什么半导体材料在电源设计中至关重要?
|
|
2
|
43
|
2025 年7 月 30 日
|
|
功率半导体材料:硅、碳化硅与氮化镓详解
|
|
1
|
300
|
2025 年7 月 30 日
|
|
MOSFET 与微控制器应用教学:MOSFET 的参数规格为何具有误导性?
|
|
0
|
67
|
2025 年7 月 28 日
|
|
东芝(Toshiba)晶体管/Mos管后缀说明
|
|
16
|
6918
|
2025 年7 月 24 日
|
|
晶体管 - IGBT 的特点与工作原理
|
|
1
|
853
|
2025 年7 月 22 日
|
|
我可以用晶体管驱动继电器吗?
|
|
5
|
348
|
2025 年7 月 22 日
|
|
氮化镓(GaN)在高频功率应用中的设计要点
|
|
1
|
90
|
2025 年7 月 17 日
|
|
认识这两款通用型 MOSFET:2N7000 与 2N7002 逻辑电平开关管
|
|
0
|
267
|
2025 年5 月 26 日
|
|
认识晶体管家族成员:MPSA06与MPSA56
|
|
0
|
99
|
2025 年5 月 26 日
|
|
KSA1381ESTU替代型号
|
|
0
|
21
|
2025 年5 月 23 日
|
|
认识通用晶体管界的常青树:2N3904与2N3906
|
|
0
|
77
|
2025 年5 月 22 日
|
|
什么是互补晶体管对?
|
|
0
|
194
|
2025 年5 月 22 日
|
|
MOSFET栅极驱动电路中的自举操作指南
|
|
0
|
857
|
2025 年5 月 15 日
|
|
IGBT类型介绍:PT、NPT、FS,以及电力电子趋势
|
|
0
|
142
|
2025 年3 月 22 日
|
|
晶体管 2SC1923 的替换料
|
|
0
|
26
|
2025 年3 月 4 日
|
|
预偏置晶体管:节省印刷电路板空间并减少物料清单数量
|
|
0
|
20
|
2025 年2 月 13 日
|
|
NTE 晶体管 NTE184 的替换料
|
|
0
|
16
|
2025 年2 月 13 日
|