MOSFET 是一项每年都在不断发展的技术奇迹。它们在电源应用中尤其有用，包括充电器和计算机电源。例如，这款 Vishay 小巧但功能强大的 SI7938DP-T1-GE3 双 MOSFET。它比您常用的 SO-8 封装的 555 定时器稍大一些，但设计极限值却达到了 60A 和 40VDC。
图 1：Vishay SI7938DP-T1-GE3 双 MOSFET 数据手册中的开篇图片。
一般来说，N 沟道 MOSFET 比 P 沟道更受青睐。在某些情况下，P 沟道 MOSFET 无疑是更好的选择。
为什么 N 沟道更受欢迎？
无需查看规格说明，我们就知道它们在系统级成本和性能方面通常表现更好。回想一下， MOSFET 的性能衡量标准包括：
- 导通电阻
- 漏源电压（最大值）
- 漏极电流
- 开关速度，包括导通时间和关断时间
- 散热能力
驱动电路的成本和复杂性等次要因素也是需要考虑的。
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