VideoLibrary

Harness the Power of eGaN® FETs and ICs for Motor Drives

Watch the on-demand webinar to learn how to harness the power of enhancement-mode gallium nitride (eGaN) FETs and ICs for motor drives.

12/10/2020 2:13:08 PM

FETs-MOSFETs - Arrays

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIEEPC2106MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE13595 - 立即发货$22.00查看详情
MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIEEPC2110MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE12030 - 立即发货$26.46查看详情
MOSFET 3N-CH 100V 9BGAEPC2107MOSFET 3N-CH 100V 9BGA4982 - 立即发货$23.49查看详情
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGAEPC2108MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA636 - 立即发货$21.17查看详情
MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIEEPC2101MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE563 - 立即发货$88.98查看详情

FETs-MOSFETs - Single

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
GANFET N-CH 40V 4A DIEEPC8004GANFET N-CH 40V 4A DIE2722 - 立即发货$35.48查看详情
GANFET N-CH 65V 4A DIEEPC8009GANFET N-CH 65V 4A DIE9477 - 立即发货$38.04查看详情
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINEEPC2001CGANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE51568 - 立即发货$49.45查看详情
GANFET N-CH 100V 18A DIEEPC2016CGANFET N-CH 100V 18A DIE53823 - 立即发货$28.12查看详情
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINEEPC2007CGANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE13180 - 立即发货$25.47查看详情

Related Videos

EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots
EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots

发布日期：2025-01-29

Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications
Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications

发布日期：2023-08-31

Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar
Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar

发布日期：2023-08-31

Related Product Highlight

EPC91116 演示板 EPC 的 EPC91116 演示板具有可选的窄脉冲发生器，可简化典型脉冲和函数发生器的操作。
EPC9149 演示板 EPC 的 EPC9149 演示板是一款 1 kW、48 V 输入至 12 V 输出 LLC 转换器，可作为具有 4:1 固定转换比的直流变压器。
EPC9145KIT 演示板 EPC 的 EPC9145KIT 演示板专为电动自行车、eMotion、无人机和机器人电机应用量身定制。

Related Articles and Blogs

半导体材料在电源领域的应用与发展趋势 随着全球对高效能电源转换技术的需求不断提升，半导体材料在电源领域的应用日益重要。从传统的硅（Si）功率元器件，到近年来快速崛起的宽带隙半导体材料——碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），这些技术的进步正在驱动电源转换技术向更高效、更高功率密度、更低损耗的方向发展，使得电源系统能够在更小的体积内达成更高的功效与可靠性。
网络研讨会 – 最大效率和功率：GaN 此次网络研讨会将介绍一系列基于 GaN 的联合参考设计，这些设计具有无与伦比的功率输出和热效率，且所需的板空间更小。
宽带隙半导体推升了数据中心的效率 由于数据中心有巨大的能源需求，因此需要能够减少电力损失、提高效率和加强热控制的电源解决方案。

Related Product Training Modules

Driving eGaN FETs with the LM5113 The advantages of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors and the key design challenges of implementing the new device technology.
eGaN® FET Reliability Significant performance and size advantages over silicon power MOSFETs allow for improved system efficiency, reduced system costs, and reduced design size.