EPC2107
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EPC2107
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2108

DigiKey 零件编号
917-1169-2-ND - 卷带(TR)
917-1169-1-ND - 剪切带(CT)
制造商
制造商产品编号
EPC2108
描述
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 60V,100V 1.7A,500mA 表面贴装型 9-BGA(1.35x1.35)
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
EPC
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
零件状态
停产
技术
GaNFET(氮化镓)
配置
3 N 沟道(半桥 + 同步自举)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
60V,100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A,500mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
190 毫欧 @ 2.5A,5V,3.3 欧姆 @ 2.5A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 100µA,2.5V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.22nC @ 5V,0.044nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
22pF @ 30V,7pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
9-VFBGA
供应商器件封装
9-BGA(1.35x1.35)
基本产品编号
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剪切带(CT)
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥21.17000¥21.17
10¥13.64500¥136.45
100¥9.34120¥934.12
500¥7.50172¥3,750.86
卷带(TR)
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
2,500¥6.09872¥15,246.80
制造商标准包装