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EPC

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Image of EPC's GaN Webinar Series

EPC 的 GaN 网络研讨会系列

随时了解 GaN 技术和应用的最新进展！

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Image of EPC's Design Tips+ Webinar

EPC 设计技巧 + 网络研讨会

可最大限度地提高 GaN 设计性能和可靠性的简单设计技巧。

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Image of EPC's Motor Drive

EPC 电机驱动网络研讨会

了解如何将 eGaN® FETS 和 IC 用于电机驱动。

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最新产品 特色产品

GaN FETs in PQFN Packages

EPC GaN FETs in PQFN packages are perfect for demanding applications such as motor drives, robotics, and high-performance computing.

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EPC91200 电机驱动逆变器板

EPC EPC91200 是一款三相 BLDC 电机驱动逆变器板，配备 EPC2305 eGaN，最大器件电压为 150 V，适用于 96 V 电池。

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EPC91106 同步降压-升压转换器评估板

EPC EPC91106 高功率密度、薄型同步降压/升压转换器评估板完整电源转换器解决方案尺寸为 21 毫米 x 13 毫米。

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EPC2152 80 V，12.5 A 集成式 ePower™ 级单芯片驱动器

EPC 的 EPC2152 80 V、12.5 A 集成式 ePower™ 是单芯片驱动器和 eGaN® FET 半桥功率级，尺寸为 3.9 mm x 2.6 mm x 0.8 mm。

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工具和支持

Image of EPC Optimize PCB Layout Webinar

Optimize Your PCB Layout for Maximum Efficiency with GaN Technology Sponsored by DigiKey

Join EPC Applications Engineer Tiziano Morganti on 29 April 2025, for a webinar on PCB Layout Rules for Converters and Motor Drives. Learn critical techniques to minimize parasitic inductance, optimize gate circuit layouts, and avoid common design pitfalls.
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精选视频

EPC EPC2152 Integrated ePower Stage Single-Chip Driver PIO | DigiKey
EPC EPC2152 Integrated ePower Stage Single-Chip Driver PIO | DigiKey
EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots
EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots
[简体] 得捷时刻 | 消费电子创新看什么？
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GaN Experts unbox a Gallium Nitride (GaN) Powered Motor Drive Evaluation Kit
GaN Experts unbox a Gallium Nitride (GaN) Powered Motor Drive Evaluation Kit
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近期 PTM

eGaN-based Eighth Brick Converter
5 minutes
eGaN-based Eighth Brick Converter
Review of the design specifications of a 500 W 1/8th brick converter
917-EPC2100ENG-ND
5 minutes
eGaN Integrated GaN Power
eGaN technology offers higher power density through size reduction and speed reduction, and parasitic reduction.
eGaN FETS
15 minutes
Driving eGaN FETs with the LM5113
The advantages of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors and the key design challenges of implementing the new device technology.
Paralleling eGaN FETs
10 minutes
Paralleling eGaN® FETs
Detailing the work done to make it as easy as possible to use eGaN FETs in power conversion applications.
2nd Gen eGaN FETs
5 minutes
Second Gen Lead Free eGaN® FETs Overview
The new-generation is lead free and halogen free and has improved electrical performance.
917-1027-2-ND
5 minutes
eGaN® FET Reliability
Significant performance and size advantages over silicon power MOSFETs allow for improved system efficiency, reduced system costs, and reduced design size.
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关于 EPC

EPC 是增强模式氮化镓型功率管理器件领导厂商。EPC 第一个推出增强模式硅基氮化镓 (eGaN®) FET，可替代众多应用中的功率 MOSFET，如 DC-DC 转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、 遥感技术 (LiDAR) 以及 D 类音频放大器，其性能高于最好的硅功率 MOSFET 数倍。

EPC 首席执行官 Alex Lidow 表示：“自十多年前我们的产品上市的第一天起，DigiKey 便一直是 EPC 和我们的 eGaN 产品的鼎力支持者和合作伙伴。

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