单 FET,MOSFET

结果 : 16
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A(Ta)6A(Tc)9A(Ta)9A(Tc)10A(Ta)12A(Tc)40A(Tc)45A(Tc)49A(Tc)52A(Tc)62A(Tc)80A(Tc)120A(Tc)260A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.3 毫欧 @ 22.5A,10V3.2 毫欧 @ 60A,10V5.2 毫欧 @ 10.5A,10V6.9 毫欧 @ 40A,10V10.5 毫欧 @ 7A,10V12 毫欧 @ 26A,10V12 毫欧 @ 5A,10V13 毫欧 @ 6A,10V15 毫欧 @ 20A,10V15 毫欧 @ 25A,10V15 毫欧 @ 4.5A,10V30 毫欧 @ 3A,10V30 毫欧 @ 6A,10V56 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)2V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V17 nC @ 4.5 V24 nC @ 4.5 V29 nC @ 10 V30.6 nC @ 10 V33 nC @ 4.5 V42 nC @ 4.5 V61.5 nC @ 4.5 V113 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±18V±20V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
639 pF @ 25 V1450 pF @ 25 V1480 pF @ 25 V1630 pF @ 25 V2030 pF @ 25 V2615 pF @ 25 V3350 pF @ 25 V3500 pF @ 25 V6250 pF @ 25 V6375 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
350mW(Tc)2.7W(Ta)2.9W(Tc)3W(Ta)4W(Ta),60W(Tc)4.8W(Ta),75W(Tc)33W(Tc)60W(Tc)70W(Tc)100W(Tc)104W(Tc)136W(Tc)166W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SO8-SOICDPAKPowerFlat™(3.3x3.3)PowerFlat™(5x6)SOT-23-3TO-220
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PowerFlat
STL9P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
STMicroelectronics
83,460
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.48350
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V9A(Tc)4.5V,10V15 毫欧 @ 4.5A,10V1V @ 250µA(最小)24 nC @ 4.5 V±20V2615 pF @ 25 V-3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerFlat™(3.3x3.3)8-PowerVDFN
8PowerVDFN
STL6P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
STMicroelectronics
5,992
现货
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.80295
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V6A(Tc)4.5V,10V30 毫欧 @ 3A,10V1V @ 250µA(最小)12 nC @ 4.5 V±20V1450 pF @ 25 V-2.9W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型PowerFlat™(3.3x3.3)8-PowerVDFN
TS432AILT
STR2P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
STMicroelectronics
14,612
现货
1 : ¥4.15000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.39161
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V2A(Ta)4.5V,10V56 毫欧 @ 1A,10V2.5V @ 250µA6 nC @ 4.5 V±20V639 pF @ 25 V-350mW(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-220-3
STP160N3LL
MOSFET N-CH 30V 120A TO220
STMicroelectronics
367
现货
1 : ¥12.52000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V120A(Tc)4.5V,10V3.2 毫欧 @ 60A,10V2.5V @ 250µA42 nC @ 4.5 V±20V3500 pF @ 25 V-136W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-220TO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD52P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
STMicroelectronics
4,853
现货
1 : ¥13.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.53460
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V52A(Tc)4.5V,10V12 毫欧 @ 26A,10V2.5V @ 250µA33 nC @ 4.5 V±20V3350 pF @ 25 V-70W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD95P3LLH6AG
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
STMicroelectronics
2,480
现货
1 : ¥18.29000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.24740
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V80A(Tc)4.5V,10V6.9 毫欧 @ 40A,10V2.5V @ 250µA113 nC @ 10 V±18V6250 pF @ 25 V-104W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3 Type A
STP52P3LLH6
MOSFET P-CHANNEL 30V 52A TO220
STMicroelectronics
1,459
现货
1 : ¥13.50000
管件
管件
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V52A(Tc)4.5V,10V------70W(Tc)---通孔TO-220TO-220-3
8-SOIC
STS10P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥13.25000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.85202
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V10A(Ta)4.5V,10V12 毫欧 @ 5A,10V1V @ 250µA(最小)33 nC @ 4.5 V±20V3350 pF @ 25 V-2.7W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerFlat™
STL45P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 45A POWERFLAT
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
3,000 : ¥4.80831
卷带(TR)
卷带(TR)
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V45A(Tc)4.5V,10V13 毫欧 @ 6A,10V1V @ 250µA24 nC @ 4.5 V±20V2615 pF @ 25 V-4.8W(Ta),75W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型PowerFlat™(5x6)8-PowerVDFN
PowerFlat™
STL86N3LLH6AG
MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
3,000 : ¥7.41523
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V80A(Tc)4.5V,10V5.2 毫欧 @ 10.5A,10V2.5V @ 250µA17 nC @ 4.5 V±20V2030 pF @ 25 V-4W(Ta),60W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PowerFlat™(5x6)8-PowerVDFN
PowerFlat™
STL260N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 260A POWERFLAT
STMicroelectronics
0
现货
停产
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V260A(Tc)4.5V,10V1.3 毫欧 @ 22.5A,10V1V @ 250µA(最小)61.5 nC @ 4.5 V±20V6375 pF @ 25 V-166W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型PowerFlat™(5x6)8-PowerVDFN
PowerFlat™
STL62P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 62A POWERFLAT
STMicroelectronics
0
现货
停产
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V62A(Tc)4.5V,10V10.5 毫欧 @ 7A,10V1V @ 250µA(最小)33 nC @ 4.5 V±20V3350 pF @ 25 V-100W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型PowerFlat™(5x6)8-PowerVDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD37P3H6AG
MOSFET P-CH 30V 49A DPAK
STMicroelectronics
0
现货
停产
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V49A(Tc)10V15 毫欧 @ 25A,10V4V @ 250µA30.6 nC @ 10 V±20V1630 pF @ 25 V-60W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD28P3LLH6AG
MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
STMicroelectronics
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Tc)4.5V,10V30 毫欧 @ 6A,10V2.5V @ 250µA29 nC @ 10 V±18V1480 pF @ 25 V-33W(Tc)150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD40P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 40A DPAK
STMicroelectronics
0
现货
停产
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V40A(Tc)4.5V,10V15 毫欧 @ 20A,10V2.5V @ 250µA24 nC @ 4.5 V±20V2615 pF @ 25 V-60W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC Pkg
STS9P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
STMicroelectronics
0
现货
停产
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V9A(Ta)4.5V,10V15 毫欧 @ 4.5A,10V2V @ 250µA24 nC @ 4.5 V±20V2615 pF @ 25 V-2.7W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。