STS9P3LLH6 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


Diodes Incorporated
现货: 6,346
单价: ¥6.24000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 6,768
单价: ¥13.22000
规格书

STS9P3LLH6

DigiKey 零件编号
STS9P3LLH6-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
STS9P3LLH6
描述
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 P 通道 30 V 9A(Ta) 2.7W(Ta) 8-SO
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
STS9P3LLH6 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
卷带(TR)
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
15 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
24 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2615 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.7W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
基本产品编号