晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | 电子元器件分销商 DigiKey

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	IGBT 类型	电压 - 集射极击穿（最大值）	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）	功率 - 最大值	开关能量	输入类型	栅极电荷	25°C 时 Td（开/关）值	测试条件	反向恢复时间 (trr)	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

ISL9V5036S3ST IGBT 390V 46A 250W TO263AB onsemi	5,584 现货	1 : ¥31.87000 剪切带（CT） 800 : ¥19.97609 卷带（TR）	EcoSPARK®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	-	390 V	46 A	-	1.6V @ 4V，10A	250 W	-	逻辑	32 nC	-/10.8µs	300V，1 千欧，5V	-	-40°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB	D²PAK（TO-263）
ISL9V5045S3ST IGBT 480V 51A TO263AB onsemi	4,752 现货	1 : ¥33.79000 剪切带（CT） 800 : ¥21.14366 卷带（TR）	EcoSPARK®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	-	480 V	51 A	-	1.6V @ 4V，10A	300 W	-	逻辑	32 nC	-/10.8µs	300V，1 千欧，5V	-	-40°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB	D²PAK（TO-263）
FGH80N60FD2TU IGBT 600V 80A 290W TO247 onsemi	2,701 现货	1 : ¥40.55000 管件	-	管件	在售	场截止	600 V	80 A	160 A	2.4V @ 15V，40A	290 W	1mJ（开），520µJ（关）	标准	120 nC	21ns/126ns	400V，40A，10 欧姆，15V	61 ns	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247-3	TO-247-3
FGH40N60SMDF IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3 onsemi	754 现货	1 : ¥43.01000 管件	-	管件	在售	场截止	600 V	80 A	120 A	2.5V @ 15V，40A	349 W	1.3mJ（开），260µJ（关）	标准	119 nC	12ns/92ns	400V，40A，6 欧姆，15V	90 ns	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247-3	TO-247-3
IGW25N120H3FKSA1 IGBT 1200V 50A 326W TO247-3 Infineon Technologies	5,964 现货	1 : ¥46.69000 管件	TrenchStop®	管件	在售	沟槽型场截止	1200 V	50 A	100 A	2.4V @ 15V，25A	326 W	2.65mJ	标准	115 nC	27ns/277ns	600V，25A，23 欧姆，15V	-	-40°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247-3	PG-TO247-3-1
FGH60N60SMD IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247 onsemi	0 现货	1 : ¥44.46000 管件	-	管件	在售	场截止	600 V	120 A	180 A	2.5V @ 15V，60A	600 W	1.26mJ（开），450µJ（关）	标准	189 nC	18ns/104ns	400V，60A，3 欧姆，15V	39 ns	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247-3	TO-247-3
APT25GT120BRG IGBT 1200V 54A 347W TO247 Microchip Technology	2,036 现货	1 : ¥49.99000 管件	Thunderbolt IGBT®	管件	在售	NPT	1200 V	54 A	75 A	3.7V @ 15V，25A	347 W	930µJ（开），720µJ（关）	标准	170 nC	14ns/150ns	800V，25A，5 欧姆，15V	-	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247-3	TO-247 [B]
IGW40N120H3FKSA1 IGBT 1200V 80A 483W TO247-3 Infineon Technologies	4,609 现货	1 : ¥55.22000 管件	TrenchStop®	管件	在售	沟槽型场截止	1200 V	80 A	160 A	2.4V @ 15V，40A	483 W	3.16mJ	标准	185 nC	30ns/290ns	600V，40A，12 欧姆，15V	-	-40°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247-3	PG-TO247-3-1
APT50GS60BRDQ2G IGBT 600V 93A 415W TO247 Microchip Technology	6,145 现货	1 : ¥102.60000 管件	Thunderbolt IGBT®	管件	在售	NPT	600 V	93 A	195 A	3.15V @ 15V，50A	415 W	755µJ（关）	标准	235 nC	16ns/225ns	400V，40A，4.7 欧姆，15V	25 ns	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247-3	TO-247 [B]
IXBH16N170 IGBT 1700V 40A 250W TO247AD IXYS	259 现货	1 : ¥124.95000 管件	BIMOSFET™	管件	在售	-	1700 V	40 A	120 A	3.3V @ 15V，16A	250 W	-	标准	72 nC	-	-	1.32 µs	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247-3	TO-247AD
IXYX30N170CV1 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB IXYS	2,640 现货	1 : ¥190.99000 管件	XPT™	管件	在售	-	1700 V	108 A	255 A	3.7V @ 15V，30A	937 W	5.9mJ（开），3.3mJ（关）	标准	140 nC	28ns/150ns	850V，30A，2.7 欧姆，15V	160 ns	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247-3 变式	PLUS247™-3
IXBH42N170 IGBT 1700V 80A 360W TO247 IXYS	992 现货	1 : ¥214.34000 散装	BIMOSFET™	散装	在售	-	1700 V	80 A	300 A	2.8V @ 15V，42A	360 W	-	标准	188 nC	-	-	1.32 µs	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247-3	TO-247AD
IXXX300N60B3 IGBT 600V 550A 2300W TO247 IXYS	974 现货	1 : ¥256.57000 管件	GenX3™, XPT™	管件	在售	PT	600 V	550 A	1140 A	1.6V @ 15V，100A	2300 W	3.45mJ（开），2.86mJ（关）	标准	460 nC	50ns/190ns	400V，100A，1 欧姆，15V	-	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247-3 变式	PLUS247™-3
IXYT25N250CHV IGBT 2500V 235A TO-268HV IXYS	924 现货	1 : ¥269.09000 管件	XPT™	管件	在售	-	2500 V	95 A	235 A	4V @ 15V，25A	937 W	8.3mJ（开），7.3mJ（关）	标准	147 nC	15ns/230ns	1250V，25A，5 欧姆，15V	34 ns	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA	TO-268
IXGK100N170 IGBT PT 1000V 120A TO-264 IXYS	641 现货	1 : ¥321.39000 管件	-	管件	在售	-	1700 V	170 A	600 A	3V @ 15V，100A	830 W	-	标准	425 nC	35ns/285ns	850V，100A，1 欧姆，15V	-	-55°C ~ 150°C	通孔	TO-264-3，TO-264AA	PLUS264™
IXBX25N250 IGBT 2500V 55A 300W PLUS247 IXYS	682 现货	1 : ¥323.85000 管件	BIMOSFET™	管件	在售	-	2500 V	55 A	180 A	3.3V @ 15V，25A	300 W	-	标准	103 nC	-	-	1.6 µs	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247-3 变式	PLUS247™-3
IXBK75N170 IGBT 1700V 200A 1040W TO264 IXYS	660 现货	1 : ¥479.13000 管件	BIMOSFET™	管件	在售	-	1700 V	200 A	580 A	3.1V @ 15V，75A	1040 W	-	标准	350 nC	-	-	1.5 µs	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-264-3，TO-264AA	TO-264AA
IXBH2N250 IGBT 2500V 5A 32W TO247 IXYS	700 现货	1 : ¥505.93000 管件	BIMOSFET™	管件	在售	-	2500 V	5 A	13 A	3.5V @ 15V，2A	32 W	-	标准	10.6 nC	-	-	920 ns	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247-3	TO-247AD
IXYX40N450HV IGBT IXYS	736 现货	1 : ¥513.07000 管件	XPT™	管件	在售	-	4500 V	95 A	350 A	3.9V @ 15V，40A	660 W	-	标准	170 nC	36ns/110ns	960V，40A，2 欧姆，15V	-	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247-3 变式	TO-247PLUS-HV
IXBX50N360HV IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS IXYS	921 现货	1 : ¥532.73000 管件	BIMOSFET™	管件	在售	-	3600 V	125 A	420 A	2.9V @ 15V，50A	660 W	-	标准	210 nC	46ns/205ns	960V，50A，5 欧姆，15V	1.7 µs	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247-3 变式	TO-247PLUS-HV
IXEL40N400 IGBT 4000V 90A 380W ISOPLUSI5 IXYS	165 现货	1 : ¥902.11000 管件	-	管件	在售	-	4000 V	90 A	400 A	3.2V @ 15V，40A	380 W	55mJ（开），165mJ（关）	标准	275 nC	160ns/630ns	2800V，40A，33 欧姆，15V	-	-40°C ~ 150°C（TJ）	通孔	ISOPLUSi5-Pak™	ISOPLUSi5-Pak™
IXBH20N360HV IGBT 3600V 70A TO-247HV IXYS	945 现货	1 : ¥946.12000 管件	BIMOSFET™	管件	在售	-	3600 V	70 A	220 A	3.4V @ 15V，20A	430 W	15.5mJ（开），4.3mJ（关）	标准	110 nC	18ns/238ns	1500V，20A，10 欧姆，15V	1.7 µs	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247-3 变式	TO-247HV
RGPZ10BM40FHTL IGBT Rohm Semiconductor	0 现货	1 : ¥14.21000 剪切带（CT） 2,500 : ¥6.81942 卷带（TR）	Automotive, AEC-Q101	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不适用于新设计	-	460 V	20 A	-	2.0V @ 5V，10A	107 W	-	标准	14 nC	500ns/4µs	300V，8A，100 欧姆，5V	-	-40°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63	TO-252
FGD3050G2 IGBT 500V 27A DPAK-3 onsemi	2,496 现货	1 : ¥16.13000 剪切带（CT） 2,500 : ¥7.49074 卷带（TR）	Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	-	500 V	32 A	-	1.2V @ 4V，6A	150 W	-	逻辑	22 nC	-	-	-	-40°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63	D-PAK（TO-252）
IGW30N60TPXKSA1 IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3 Infineon Technologies	3,506 现货	1 : ¥20.89000 管件	TrenchStop™	管件	不适用于新设计	沟槽型场截止	600 V	53 A	90 A	1.8V @ 15V，30A	200 W	710µJ（开），420µJ（关）	标准	130 nC	15ns/179ns	400V，30A，10.5 欧姆，15V	-	-40°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247-3	PG-TO247-3

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晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Single IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) are multilayered semiconductor devices with three terminals that can handle high currents and have fast switching features. They are characterized by type, collector-emitter breakdown voltage, collector current, pulsed collector current, VCE(ON), switching energy, and gate charge.

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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