90A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 276
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiRenesas Electronics CorporationRohm Semiconductor
系列
-CoolMOS™DeepGATE™, STripFET™DeepGATE™, STripFET™ VIDeepGATE™, STripFET™ VIIG3R™HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Polar3™HiPerFET™, Q Class
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V24 V25 V30 V40 V55 V60 V65 V75 V80 V100 V120 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4.5V,10V5V,10V6V,10V7V,10V7.5V,10V10V15V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 90A,10V2.1 毫欧 @ 90A,10V2.2 毫欧 @ 32A,10V2.2 毫欧 @ 90A,10V2.3 毫欧 @ 20A,10V2.3 毫欧 @ 90A,10V2.4 毫欧 @ 90A,10V2.5 毫欧 @ 60A,10V2.5 毫欧 @ 90A,10V2.6 毫欧 @ 80A,10V2.8 毫欧 @ 45A,10V2.9 毫欧 @ 28.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 23µA2V @ 250µA2V @ 253µA2V @ 40µA2V @ 45µA2V @ 70µA2V @ 95µA2.1V @ 1mA2.1V @ 90µA2.2V @ 100µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
17 nC @ 4.5 V20 nC @ 4.5 V24 nC @ 4.5 V25 nC @ 10 V25 nC @ 5 V26 nC @ 5 V28 nC @ 10 V28.8 nC @ 10 V29 nC @ 4.5 V32.6 nC @ 10 V34 nC @ 10 V36 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+5V,-16V±10V±12V±15V±16V+20V,-16V+20V,-5V±20V+22V,-10V+25V,-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1600 pF @ 25 V1690 pF @ 25 V1703 pF @ 20 V1950 pF @ 25 V1950 pF @ 30 V1950 pF @ 40 V1963 pF @ 15 V2124 pF @ 20 V2145 pF @ 25 V2200 pF @ 25 V2309 pF @ 50 V2400 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
960mW(Ta),170W(Tc)1.2W(Ta),105W(Tc)1.2W(Ta),147W(Tc)1.34W1.4W(Ta)1.7W(Ta)1.8W(Ta),147W(Tc)1.8W(Ta),176W(Tc)1.8W(Ta),217W(Tc)2.1W(Ta),100W(Tc)2.4W(Ta),250W(Tc)2.7W(Ta)
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DSOP Advance8-HSOP8-PPAK(4.9x5.8)8-SOP Advance(5x5.75)8-SOP Advance(5x5)D2PAKDFN5060DIRECTFET™ MXDPAKH2PAK-2H2PAK-7HiP247™
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN22-PowerBSOP 模块DirectFET™ 等容 MXPowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3 变式
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
276结果
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/ 276
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD048N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Infineon Technologies
6,374
现货
1 : ¥10.67000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.40717
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
90A(Tc)
4.5V,10V
4.8 毫欧 @ 90A,10V
2.2V @ 58µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
8400 pF @ 30 V
-
115W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-311
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥11.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.71049
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
10V
4.1 毫欧 @ 90A,10V
4V @ 35µA
43 nC @ 10 V
±20V
3440 pF @ 25 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR7440TRPBF
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Infineon Technologies
16,651
现货
1 : ¥11.99000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.96514
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
6V,10V
2.4 毫欧 @ 90A,10V
3.9V @ 100µA
134 nC @ 10 V
±20V
4610 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252 DPAK
FDD86369
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
onsemi
14,259
现货
1 : ¥13.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.92183
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
90A(Tc)
10V
7.9 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±20V
2530 pF @ 40 V
-
150W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Infineon Technologies
2,587
现货
1 : ¥17.65000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.95752
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
90A(Tc)
-
4.1 毫欧 @ 90A,10V
2V @ 253µA
160 nC @ 10 V
+5V,-16V
11300 pF @ 25 V
-
137W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IRF7946TRPBF
IRF7946TRPBF
MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX
Infineon Technologies
12,215
现货
1 : ¥20.44000
剪切带(CT)
4,800 : ¥8.86083
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
6V,10V
1.4 毫欧 @ 90A,10V
3.9V @ 150µA
212 nC @ 10 V
±20V
6852 pF @ 25 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
TO252-3
IPD046N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Infineon Technologies
2,170
现货
1 : ¥20.61000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.27203
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
90A(Tc)
6V,10V
4.6 毫欧 @ 45A,10V
3.8V @ 65µA
53 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 40 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90P04P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
9,754
现货
1 : ¥20.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.38338
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 90A,10V
2.2V @ 250µA
176 nC @ 10 V
+5V,-16V
11570 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD053N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Infineon Technologies
15,312
现货
1 : ¥21.18000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.53118
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
90A(Tc)
6V,10V
5.3 毫欧 @ 90A,10V
3.5V @ 90µA
69 nC @ 10 V
±20V
4750 pF @ 40 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90N10S4L06ATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Infineon Technologies
4,814
现货
1 : ¥22.00000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.91712
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
90A(Tc)
4.5V,10V
6.6 毫欧 @ 90A,10V
2.1V @ 90µA
98 nC @ 10 V
±16V
6250 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263 (D2Pak)
SUM90N10-8M2P-E3
MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Vishay Siliconix
5,293
现货
1 : ¥35.05000
剪切带(CT)
800 : ¥21.18494
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
90A(Tc)
10V
8.2 毫欧 @ 20A,10V
4.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
6290 pF @ 50 V
-
3.75W(Ta),300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM90P10-19L-E3
MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Vishay Siliconix
5,959
现货
1 : ¥35.63000
剪切带(CT)
800 : ¥21.49145
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
90A(Tc)
4.5V,10V
19 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
326 nC @ 10 V
±20V
11100 pF @ 50 V
-
13.6W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
SUP90P06-09L-E3
MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
Vishay Siliconix
2,366
现货
1 : ¥43.92000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
90A(Tc)
4.5V,10V
9.3 毫欧 @ 30A,10V
3V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta),250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH90P10P
MOSFET P-CH 100V 90A TO247
IXYS
3,949
现货
1 : ¥92.03000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
90A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 45A,10V
4V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5800 pF @ 25 V
-
462W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-268
IXTT90P10P
MOSFET P-CH 100V 90A TO268
IXYS
238
现货
1 : ¥103.68000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
90A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 45A,10V
4V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5800 pF @ 25 V
-
462W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-264
IXTK90P20P
MOSFET P-CH 200V 90A TO264
IXYS
454
现货
1 : ¥169.19000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
90A(Tc)
10V
44 毫欧 @ 500mA,10V
4V @ 1mA
205 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264(IXTK)
TO-264-3,TO-264AA
TO-247-4 Top
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
3,407
现货
1 : ¥184.96000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
90A(Tc)
15V
36 毫欧 @ 50A,15V
2.69V @ 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
400W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
C2D10120D
C2M0025120D
SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
363
现货
1 : ¥807.31000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
90A(Tc)
20V
34 毫欧 @ 50A,20V
2.4V @ 10mA
161 nC @ 20 V
+25V,-10V
2788 pF @ 1000 V
-
463W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO252-3
IPD031N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Infineon Technologies
4,264
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.00248
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
90A(Tc)
4.5V,10V
3.1 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 15 V
-
94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK_SO-8L
SQJ147ELP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
22,292
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.24934
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
-
12.5 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 25 V
-
183W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-252 D-Pak Top
DMT10H009LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Diodes Incorporated
2,378
现货
1,557,500
工厂
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.95218
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
90A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±20V
2309 pF @ 50 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TDSON-8-34
IPC90N04S5L3R3ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34
Infineon Technologies
9,313
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.81680
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 45A,10V
2V @ 23µA
40 nC @ 10 V
±16V
2145 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD90N06S407ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Infineon Technologies
51,907
现货
1 : ¥11.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.71387
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
90A(Tc)
10V
6.9 毫欧 @ 90A,10V
4V @ 40µA
56 nC @ 10 V
±20V
-
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR7540TRPBF
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Infineon Technologies
6,807
现货
1 : ¥11.49000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.75576
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
90A(Tc)
6V,10V
4.8 毫欧 @ 66A,10V
3.7V @ 100µA
130 nC @ 10 V
±20V
4360 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD036N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Infineon Technologies
41,783
现货
1 : ¥11.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.77725
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
4.5V,10V
3.6 毫欧 @ 90A,10V
2V @ 45µA
78 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 20 V
-
94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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90A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。