单 FET，MOSFET

结果 : 107
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V40 V60 V75 V100 V135 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）38A（Ta），211A（Tc）42A（Ta），100A（Tc）43A（Ta），100A（Tc）47A（Ta），100A（Tc）49A（Ta），100A（Tc）56A（Tc）59A（Tc）68A（Tc）75A（Tc）76A（Tc）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.75 毫欧 @ 100A，10V0.75 毫欧 @ 50A，10V0.95 毫欧 @ 50A，10V1 毫欧 @ 100A，10V1.05 毫欧 @ 50A，10V1.1 毫欧 @ 50A，10V1.2 毫欧 @ 100A，10V1.2 毫欧 @ 132A，10V1.25 毫欧 @ 100A，10V1.25 毫欧 @ 123A，10V1.3 毫欧 @ 100A，10V1.3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 100µA2.2V @ 150µA2.25V @ 25µA2.35V @ 150µA2.4V @ 100µA2.4V @ 150µA2.4V @ 250µA2.5V @ 150µA3.7V @ 100µA3.7V @ 150µA3.7V @ 250µA3.9V @ 100µA3.9V @ 150µA3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 4.5 V23 nC @ 10 V68 nC @ 10 V84 nC @ 4.5 V87 nC @ 10 V89 nC @ 10 V90 nC @ 10 V93 nC @ 10 V98 nC @ 10 V109 nC @ 10 V110 nC @ 10 V111 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
790 pF @ 50 V1210 pF @ 15 V2110 pF @ 25 V3000 pF @ 25 V3020 pF @ 25 V3107 pF @ 25 V3150 pF @ 25 V3174 pF @ 25 V3183 pF @ 25 V3199 pF @ 25 V4010 pF @ 25 V4020 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），63W（Tc）3.6W（Ta），156W（Tc）3.6W（Ta），160W（Tc）3.7W（Ta），156W（Tc）40.5W（Tc）42W（Tc）57W（Tc）78W（Tc）80W（Tc）83W（Tc）96W（Tc）98W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）D2PAKD2PAK-7D2PAK（7-Lead）DirectFET™ Isometric MEDIRECTFET™ MDDIRECTFET™ MXIPAK（TO-251AA）PG-TO252-3PG-TO263-2PG-TO263-3PG-TO263-3-2
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-TQFN 裸露焊盘8-VQFN 裸露焊盘DirectFET™ Isometric MDDirectFET™ Isometric MEDirectFET™ 等容 MXTO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AATO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
107结果
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/ 107
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFB7545PBF
MOSFET N-CH 60V 95A TO220
Infineon Technologies
49,955
现货
1 : ¥7.88000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
95A（Tc）
6V，10V
5.9 毫欧 @ 57A，10V
3.7V @ 100µA
110 nC @ 10 V
±20V
4010 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
8-Power TDFN
IRFH7440TRPBF
MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
Infineon Technologies
21,215
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
4,000 : ¥5.32616
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
85A（Tc）
6V，10V
2.4 毫欧 @ 50A，10V
3.9V @ 100µA
138 nC @ 10 V
±20V
4574 pF @ 25 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS7437TRLPBF
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Infineon Technologies
1,608
现货
1 : ¥16.75000
剪切带（CT）
800 : ¥9.34541
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
195A（Tc）
6V，10V
1.8 毫欧 @ 100A，10V
3.9V @ 150µA
225 nC @ 10 V
±20V
7330 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AB
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF7946TRPBF
IRF7946TRPBF
MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX
Infineon Technologies
12,215
现货
1 : ¥20.44000
剪切带（CT）
4,800 : ¥8.86083
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
90A（Tc）
6V，10V
1.4 毫欧 @ 90A，10V
3.9V @ 150µA
212 nC @ 10 V
±20V
6852 pF @ 25 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF100S201
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Infineon Technologies
1,555
现货
1 : ¥30.87000
剪切带（CT）
800 : ¥18.65513
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
192A（Tc）
10V
4.2 毫欧 @ 115A，10V
4V @ 250µA
255 nC @ 10 V
±20V
9500 pF @ 50 V
-
441W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO252-3
IRF40R207
MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Infineon Technologies
12,060
现货
1 : ¥7.80000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.95266
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
56A（Tc）
6V，10V
5.1 毫欧 @ 55A，10V
3.9V @ 50µA
68 nC @ 10 V
±20V
2110 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR7446TRPBF
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Infineon Technologies
9,971
现货
1 : ¥9.93000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.09819
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
56A（Tc）
6V，10V
3.9 毫欧 @ 56A，10V
3.9V @ 100µA
130 nC @ 10 V
±20V
3150 pF @ 25 V
-
98W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220AB PKG
IRFB7437PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Infineon Technologies
2,473
现货
1 : ¥10.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
195A（Tc）
6V，10V
2 毫欧 @ 100A，10V
3.9V @ 150µA
225 nC @ 10 V
±20V
7330 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB7446PBF
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Infineon Technologies
2,829
现货
1 : ¥11.58000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tc）
6V，10V
3.3 毫欧 @ 70A，10V
3.9V @ 100µA
93 nC @ 10 V
±20V
3183 pF @ 25 V
-
99W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF200B211
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Infineon Technologies
4,654
现货
1 : ¥12.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
12A（Tc）
10V
170 毫欧 @ 7.2A，10V
4.9V @ 50µA
23 nC @ 10 V
±20V
790 pF @ 50 V
-
80W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB7440PBF
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Infineon Technologies
806
现货
1 : ¥13.71000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tc）
6V，10V
2.5 毫欧 @ 100A，10V
3.9V @ 100µA
135 nC @ 10 V
±20V
4730 pF @ 25 V
-
143W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB7534PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Infineon Technologies
9,337
现货
1 : ¥14.12000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
195A（Tc）
6V，10V
2.4 毫欧 @ 100A，10V
3.7V @ 250µA
279 nC @ 10 V
±20V
10034 pF @ 25 V
-
294W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB7434PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Infineon Technologies
544
现货
1 : ¥14.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
195A（Tc）
6V，10V
1.6 毫欧 @ 100A，10V
3.9V @ 250µA
324 nC @ 10 V
±20V
10820 pF @ 25 V
-
294W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
8-Power TDFN
IRFH8201TRPBF
MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Infineon Technologies
14,568
现货
1 : ¥15.27000
剪切带（CT）
4,000 : ¥6.86911
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
49A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
0.95 毫欧 @ 50A，10V
2.35V @ 150µA
111 nC @ 10 V
±20V
7330 pF @ 13 V
-
3.6W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS7440TRLPBF
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
Infineon Technologies
1,296
现货
1 : ¥15.35000
剪切带（CT）
800 : ¥8.57651
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tc）
6V，10V
2.5 毫欧 @ 100A，10V
3.9V @ 100µA
135 nC @ 10 V
±20V
4730 pF @ 25 V
-
208W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-262-3
IRFSL7437PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Infineon Technologies
2,740
现货
1 : ¥17.16000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
195A（Tc）
6V，10V
1.8 毫欧 @ 100A，10V
3.9V @ 150µA
225 nC @ 10 V
±20V
7330 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
TO-220AB PKG
IRFB7530PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Infineon Technologies
9,783
现货
1 : ¥18.72000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
195A（Tc）
6V，10V
2 毫欧 @ 100A，10V
3.7V @ 250µA
411 nC @ 10 V
±20V
13703 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-7 DPak (6 LeadsTab)
IRFS7434TRL7PP
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Infineon Technologies
5,801
现货
1 : ¥18.72000
剪切带（CT）
800 : ¥12.46179
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
240A（Tc）
6V，10V
1 毫欧 @ 100A，10V
3.9V @ 250µA
315 nC @ 10 V
±20V
10250 pF @ 25 V
-
245W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
DirectFET Isometric ME
IRF7480MTRPBF
MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Infineon Technologies
17,304
现货
1 : ¥20.44000
剪切带（CT）
4,800 : ¥8.86083
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
217A（Tc）
6V，10V
1.2 毫欧 @ 132A，10V
3.9V @ 150µA
185 nC @ 10 V
±20V
6680 pF @ 25 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DirectFET™ Isometric ME
DirectFET™ Isometric ME
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS7434TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Infineon Technologies
3,886
现货
1 : ¥24.14000
剪切带（CT）
800 : ¥13.49894
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
195A（Tc）
6V，10V
1.6 毫欧 @ 100A，10V
3.9V @ 250µA
324 nC @ 10 V
±20V
10820 pF @ 25 V
-
294W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220AB PKG
IRFB7430PBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220
Infineon Technologies
191
现货
1 : ¥25.37000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
195A（Tc）
6V，10V
1.3 毫欧 @ 100A，10V
3.9V @ 250µA
460 nC @ 10 V
±20V
14240 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF135S203
MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
Infineon Technologies
294
现货
1 : ¥26.60000
剪切带（CT）
800 : ¥16.07083
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
135 V
129A（Tc）
10V
8.4 毫欧 @ 77A，10V
4V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
9700 pF @ 50 V
-
441W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS7530TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Infineon Technologies
8,519
现货
1 : ¥26.93000
剪切带（CT）
800 : ¥16.26313
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
195A（Tc）
6V，10V
2 毫欧 @ 100A，10V
3.7V @ 250µA
411 nC @ 10 V
±20V
13703 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS7430TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Infineon Technologies
1,293
现货
1 : ¥27.67000
剪切带（CT）
800 : ¥16.71423
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
195A（Tc）
6V，10V
1.2 毫欧 @ 100A，10V
3.9V @ 250µA
460 nC @ 10 V
±20V
14240 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-247-3 AC EP
IRFP7530PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO247
Infineon Technologies
193
现货
1 : ¥28.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
195A（Tc）
6V，10V
2 毫欧 @ 100A，10V
3.7V @ 250µA
411 nC @ 10 V
±20V
13703 pF @ 25 V
-
341W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247
TO-247-3
显示
/ 107

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。