IRF200B211 | ||
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DigiKey 零件编号 | IRF200B211-ND | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | IRF200B211 | |
描述 | MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB | |
原厂标准交货期 | 12 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 通孔 N 通道 200 V 12A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB | |
规格书 | 规格书 | |
EDA/CAD 模型 | IRF200B211 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 170 毫欧 @ 7.2A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.9V @ 50µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 23 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 790 pF @ 50 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 80W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-220AB | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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1 | ¥12.15000 | ¥12.15 |
50 | ¥9.76740 | ¥488.37 |
100 | ¥7.73980 | ¥773.98 |
500 | ¥6.56026 | ¥3,280.13 |
1,000 | ¥5.34404 | ¥5,344.04 |
2,000 | ¥5.03077 | ¥10,061.54 |
5,000 | ¥4.79120 | ¥23,956.00 |
10,000 | ¥4.57008 | ¥45,700.80 |
制造商标准包装
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