单 FET,MOSFET

结果 : 45
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
100 V150 V200 V500 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A(Tc)10A(Tc)13A(Tc)16A(Tc)18A(Tc)20A(Tc)22A(Tc)26A(Tc)30A(Tc)32A(Tc)36A(Tc)40A(Tc)48A(Tc)52A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12 毫欧 @ 500mA,10V13 毫欧 @ 85A,10V25 毫欧 @ 45A,10V27 毫欧 @ 45A,10V44 毫欧 @ 22A,10V44 毫欧 @ 500mA,10V48 毫欧 @ 45A,10V50 毫欧 @ 26A,10V50毫欧 @ 52A,10V85 毫欧 @ 500mA,10V93 毫欧 @ 24A,10V110 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 250µA4.5V @ 50µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11.9 nC @ 10 V50 nC @ 10 V55 nC @ 10 V56 nC @ 10 V60 nC @ 10 V92 nC @ 10 V103 nC @ 10 V120 nC @ 10 V196 nC @ 10 V205 nC @ 10 V240 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
600 pF @ 25 V2740 pF @ 25 V2840 pF @ 25 V2845 pF @ 25 V2950 pF @ 25 V3100 pF @ 25 V5120 pF @ 25 V5400 pF @ 25 V5800 pF @ 25 V11100 pF @ 25 V11500 pF @ 25 V12000 pF @ 25 V12600 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
58W(Tc)150W(Tc)190W(Tc)300W(Tc)310W(Tc)312W(Tc)460W(Tc)462W(Tc)890W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
ISOPLUS220™ISOPLUS247™PLUS247™-3SOT-227BTO-220-3TO-247(IXTH)TO-252TO-263AATO-263(D2PAK)TO-264(IXTK)TO-268AATO-3P
封装/外壳
ISOPLUS220™SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-247-3 变式TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-264-3,TO-264AATO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AATO-3P-3,SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
45结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 45
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263AB
IXTA36P15P
MOSFET P-CH 150V 36A TO263
IXYS
2,023
现货
1 : ¥54.35000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
36A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 18A,10V
4.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO263
IXYS
1,815
现货
1 : ¥54.35000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
52A(Tc)
10V
50毫欧 @ 52A,10V
4.5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2845 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA36P15P-TRL
MOSFET P-CH 150V 36A TO263
IXYS
724
现货
1 : ¥54.35000
剪切带(CT)
800 : ¥34.25813
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
36A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 18A,10V
4.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH90P10P
MOSFET P-CH 100V 90A TO247
IXYS
3,949
现货
1 : ¥92.03000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
90A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 45A,10V
4V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5800 pF @ 25 V
-
462W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH48P20P
MOSFET P-CH 200V 48A TO247
IXYS
750
现货
1 : ¥92.03000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
48A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 500mA,10V
4.5V @ 250µA
103 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 25 V
-
462W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-268
IXTT90P10P
MOSFET P-CH 100V 90A TO268
IXYS
238
现货
1 : ¥103.68000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
90A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 45A,10V
4V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5800 pF @ 25 V
-
462W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-247 Plus X
IXTX32P60P
MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3
IXYS
506
现货
1 : ¥167.47000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
32A(Tc)
10V
350 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 1mA
196 nC @ 10 V
±20V
11100 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
TO-264
IXTK40P50P
MOSFET P-CH 500V 40A TO264
IXYS
993
现货
1 : ¥169.19000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
40A(Tc)
10V
230 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 1mA
205 nC @ 10 V
±20V
11500 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264(IXTK)
TO-264-3,TO-264AA
TO-264
IXTK90P20P
MOSFET P-CH 200V 90A TO264
IXYS
454
现货
1 : ¥169.19000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
90A(Tc)
10V
44 毫欧 @ 500mA,10V
4V @ 1mA
205 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264(IXTK)
TO-264-3,TO-264AA
TO-264
IXTK170P10P
MOSFET P-CH 100V 170A TO264
IXYS
111
现货
1 : ¥169.19000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170A(Tc)
10V
12 毫欧 @ 500mA,10V
4V @ 1mA
240 nC @ 10 V
±20V
12600 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264(IXTK)
TO-264-3,TO-264AA
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO247
IXYS
324
现货
1 : ¥51.72000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
26A(Tc)
10V
170 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2740 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-263AB
IXTA52P10P-TRL
MOSFET P-CH 100V 52A TO263
IXYS
2,161
现货
1 : ¥54.35000
剪切带(CT)
800 : ¥34.25813
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
52A(Tc)
10V
50 毫欧 @ 26A,10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2845 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247 Plus X
IXTX40P50P
MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247-3
IXYS
590
现货
570
工厂
1 : ¥167.47000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
40A(Tc)
10V
230 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 1mA
205 nC @ 10 V
±20V
11500 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
TO-220-3
IXTP52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO220AB
IXYS
391
现货
1 : ¥52.87000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
52A(Tc)
10V
50毫欧 @ 52A,10V
4.5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2845 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
IXTP26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB
IXYS
1,466
现货
400
工厂
1 : ¥55.82000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
26A(Tc)
10V
170 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2740 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-3P
IXTQ10P50P
MOSFET P-CH 500V 10A TO3P
IXYS
234
现货
1 : ¥59.68000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
10A(Tc)
10V
1 欧姆 @ 5A,10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2840 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P
IXTQ26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO3P
IXYS
209
现货
900
工厂
1 : ¥59.68000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
26A(Tc)
10V
170 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2740 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
IXYK1x0xNxxxx
IXTN32P60P
MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
IXYS
226
现货
1 : ¥309.74000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
32A(Tc)
10V
350 毫欧 @ 500mA,10V
4V @ 1mA
196 nC @ 10 V
±20V
11100 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
IXTY2P50PA
IXTY2P50PA
AUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHAN
IXYS
290
现货
560
工厂
1 : ¥33.25000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
2A(Tc)
10V
4.2 欧姆 @ 500mA,10V
4.5V @ 50µA
11.9 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 25 V
-
58W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IXYK1x0xNxxxx
IXTN40P50P
MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
IXYS
80
现货
1 : ¥309.74000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
40A(Tc)
10V
230 毫欧 @ 500mA,10V
4V @ 1mA
205 nC @ 10 V
±20V
11500 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXTN90P20P
MOSFET P-CH 200V 90A SOT227B
IXYS
10
现货
1 : ¥309.74000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
90A(Tc)
10V
44 毫欧 @ 500mA,10V
4V @ 1mA
205 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
TO-220-3
IXTP10P50P
MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB
IXYS
0
现货
查看交期
1 : ¥52.87000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
10A(Tc)
10V
1 欧姆 @ 5A,10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2840 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-3P
IXTQ52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
IXYS
10
现货
1 : ¥59.68000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
52A(Tc)
10V
50毫欧 @ 52A,10V
4.5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2845 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH20P50P
MOSFET P-CH 500V 20A TO247
IXYS
0
现货
查看交期
1 : ¥92.03000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
20A(Tc)
10V
450 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
103 nC @ 10 V
±20V
5120 pF @ 25 V
-
460W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-268
IXTT48P20P
MOSFET P-CH 200V 48A TO268
IXYS
0
现货
查看交期
1 : ¥103.68000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
48A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 500mA,10V
4.5V @ 250µA
103 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 25 V
-
462W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
显示
/ 45

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。