PNP 单双极晶体管

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MMBT3906LT1G

MMBT3906LT1G

TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

onsemi

¥0.90000
MMBT3906-7-F

MMBT3906-7-F

TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

Diodes Incorporated

¥0.99000
MMBT4403-7-F

MMBT4403-7-F

TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3

Diodes Incorporated

¥1.23000
MMBT2907ALT1G

MMBT2907ALT1G

TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3

onsemi

¥1.31000
MMBTA56LT1G

MMBTA56LT1G

TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3

onsemi

¥1.48000
MMST2907A-7-F

MMST2907A-7-F

TRANS PNP 60V 0.6A SOT323

Diodes Incorporated

¥2.30000
MMBT6520LT1G

MMBT6520LT1G

TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3

onsemi

¥2.71000
FMMT549

FMMT549

TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

onsemi

¥3.12000
ZXTP25040DFHTA

ZXTP25040DFHTA

TRANS PNP 40V 3A SOT23-3

Diodes Incorporated

¥3.28000
FMMT597TA

FMMT597TA

TRANS PNP 300V 0.2A SOT23-3

Diodes Incorporated

¥3.28000
FMMT718TA

FMMT718TA

TRANS PNP 20V 1.5A SOT23-3

Diodes Incorporated

¥3.37000
PBSS5540X,135

PBSS5540X,135

TRANS PNP 40V 4A SOT89

Nexperia USA Inc.

¥3.53000
FMMT720TA

FMMT720TA

TRANS PNP 40V 1.5A SOT23-3

Diodes Incorporated

¥3.61000
NSS1C200LT1G

NSS1C200LT1G

TRANS PNP 100V 2A SOT23-3

onsemi

¥3.94000
MMBT589LT1G

MMBT589LT1G

TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

onsemi

¥4.02000
FCX558TA

FCX558TA

TRANS PNP 400V 0.2A SOT89-3

Diodes Incorporated

¥4.35000
FMMT723TA

FMMT723TA

TRANS PNP 100V 1A SOT23-3

Diodes Incorporated

¥4.60000
STX93003

STX93003

TRANS PNP 400V 1A TO92

STMicroelectronics

¥4.68000
MJD32CT4G

MJD32CT4G

TRANS PNP 100V 3A DPAK

onsemi

¥4.93000
FMMT723QTA

FMMT723QTA

TRANS PNP 100V 1A SOT23-3

Diodes Incorporated

¥5.01000
FZT558TA

FZT558TA

TRANS PNP 400V 0.2A SOT223-3

Diodes Incorporated

¥5.25000
FZT753TA

FZT753TA

TRANS PNP 100V 2A SOT223-3

Diodes Incorporated

¥5.25000
MJD5731T4G

MJD5731T4G

TRANS PNP 350V 1A DPAK

onsemi

¥5.66000
ZXTP19100CFFTA

ZXTP19100CFFTA

TRANS PNP 100V 2A SOT23F

Diodes Incorporated

¥5.75000
CMPT3906G TR PBFREE

CMPT3906G TR PBFREE

TRANS PNP 40V 0.2A SOT23

Central Semiconductor Corp

¥5.91000

PNP 单双极晶体管

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。