单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
EPCInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-eGaN®OptiMOS™ThunderFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A(Tc)101A(Ta)128A(Tc)287A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V7.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 毫欧 @ 50A,10V1.8毫欧 @ 50A,5V9 毫欧 @ 30A,10V32 毫欧 @ 36A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.5V @ 14mA4V @ 90µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23 nC @ 5 V29 nC @ 10 V52 nC @ 4.5 V95 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2350 pF @ 100 V3200 pF @ 50 V3425 pF @ 75 V8900 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
125W(Tc)200W(Tc)375W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)7-QFN(3x5)PG-TDSON-8-1TO-263(D2PAK)
封装/外壳
7-PowerWQFN8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-1
BSC320N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Infineon Technologies
20,388
现货
1 : ¥26.52000
剪切带(CT)
5,000 : ¥12.37126
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
36A(Tc)
10V
32 毫欧 @ 36A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C604NLAFT1G
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
onsemi
81
现货
1 : ¥48.27000
剪切带(CT)
1,500 : ¥24.96475
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
287A(Tc)
4.5V,10V
1.2 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
52 nC @ 4.5 V
±20V
8900 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
59,197
现货
1 : ¥54.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥36.28781
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
101A(Ta)
5V
1.8毫欧 @ 50A,5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V,-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM80090E-GE3
MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Vishay Siliconix
2,148
现货
1 : ¥24.14000
剪切带(CT)
800 : ¥14.59388
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
128A(Tc)
7.5V,10V
9 毫欧 @ 30A,10V
5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
3425 pF @ 75 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。