单 FET,MOSFET

结果 : 50
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V100 V125 V150 V200 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A(Ta),4.1A(Tc)3.7A(Ta),12.3A(Tc)4.3A(Ta),14.4A(Tc)5.7A(Ta),18.6A(Tc)7.7A(Tc)12.6A(Ta),51.6A(Tc)14.1A(Tc)14.2A(Tc)15.1A(Tc)18.6A(Tc)20.2A(Tc)23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V7.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.6 毫欧 @ 30A,10V1.8 毫欧 @ 30A,10V5.4 毫欧 @ 20A,10V5.6 毫欧 @ 30A,10V5.8 毫欧 @ 30A,10V8.9 毫欧 @ 20A,10V9 毫欧 @ 30A,10V9.1 毫欧 @ 20A,10V9.3 毫欧 @ 20A,10V9.4 毫欧 @ 17A,10V9.4 毫欧 @ 30A,10V9.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA4.2V @ 250µA4.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8 nC @ 10 V13 nC @ 10 V14 nC @ 7.5 V14.5 nC @ 10 V15 nC @ 4.5 V16 nC @ 10 V16 nC @ 7.5 V16.5 nC @ 10 V17 nC @ 7.5 V22.4 nC @ 10 V23 nC @ 7.5 V24 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
230 pF @ 75 V360 pF @ 50 V420 pF @ 75 V560 pF @ 50 V600 pF @ 125 V608 pF @ 100 V740 pF @ 100 V740 pF @ 75 V845 pF @ 50 V860 pF @ 100 V1050 pF @ 50 V1070 pF @ 75 V
功率耗散(最大值)
2.9W(Ta),6W(Tc)3.5W(Ta),19W(Tc)3.7W(Ta),52W(Tc)5W(Ta),52W(Tc)5W(Ta),54.3W(Tc)5W(Ta),56.8W(Tc)6.25W(Ta),104W(Tc)26W(Tc)35.7W(Tc)48W(Tc)52W(Tc)57W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOPowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SO-8TO-220 整包TO-220ABTO-247ACTO-252AATO-263(D2PAK)
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SO-8TO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
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50结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR632DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
324
现货
1 : ¥10.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.49450
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)150 V29A(Tc)7.5V,10V34.5 毫欧 @ 10A,10V4V @ 250µA17 nC @ 7.5 V±20V740 pF @ 75 V-69.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR622DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAK
Vishay Siliconix
10,335
现货
1 : ¥12.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.04370
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)150 V12.6A(Ta),51.6A(Tc)7.5V,10V17.7 毫欧 @ 20A,10V4.5V @ 250µA41 nC @ 10 V±20V1516 pF @ 75 V-6.25W(Ta),104W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR690DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,620
现货
1 : ¥13.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.85357
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V34.4A(Tc)7.5V,10V35 毫欧 @ 20A,10V4V @ 250µA37 nC @ 7.5 V±20V1935 pF @ 100 V-104W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
PowerPak SC-70-6 Single
SIA446DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Vishay Siliconix
11,272
现货
1 : ¥4.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.89555
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)150 V7.7A(Tc)6V,10V177 毫欧 @ 3A,10V3.5V @ 250µA8 nC @ 10 V±20V230 pF @ 75 V-3.5W(Ta),19W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK 1212-8S
SIS888DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Vishay Siliconix
6,805
现货
1 : ¥12.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.29589
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)150 V20.2A(Tc)7.5V,10V58 毫欧 @ 10A,10V4.2V @ 250µA14.5 nC @ 10 V±20V420 pF @ 75 V-52W(Tc)-55°C ~ 150°C(TA)表面贴装型PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® 1212-8S
8-SOIC
SI4434ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Vishay Siliconix
9,584
现货
1 : ¥16.02000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.22411
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)250 V2.8A(Ta),4.1A(Tc)7.5V,10V150 毫欧 @ 2.8A,10V4V @ 250µA16.5 nC @ 10 V±20V600 pF @ 125 V-2.9W(Ta),6W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM80090E-GE3
MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Vishay Siliconix
2,240
现货
1 : ¥23.90000
剪切带(CT)
800 : ¥14.45160
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)150 V128A(Tc)7.5V,10V9 毫欧 @ 30A,10V5V @ 250µA95 nC @ 10 V±20V3425 pF @ 75 V-375W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM90142E-GE3
MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Vishay Siliconix
107
现货
1 : ¥25.53000
剪切带(CT)
800 : ¥15.43694
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V90A(Tc)7.5V,10V15 毫欧 @ 30A,10V4V @ 250µA87 nC @ 10 V±20V3120 pF @ 100 V-375W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
SUP90140E-GE3
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Vishay Siliconix
500
现货
1 : ¥26.10000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V90A(Tc)7.5V,10V17 毫欧 @ 30A,10V4V @ 250µA96 nC @ 10 V±20V4132 pF @ 100 V-375W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔TO-220ABTO-220-3
TO-247-3 AC EP
SUG80050E-GE3
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
Vishay Siliconix
2,245
现货
1 : ¥40.24000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)150 V100A(Tc)7.5V,10V5.4 毫欧 @ 20A,10V4V @ 250µA165 nC @ 10 V±20V6250 pF @ 75 V-500W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔TO-247ACTO-247-3
PowerPak SO-8L
SIJ470DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
825
现货
1 : ¥12.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.26787
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V58.8A(Tc)7.5V,10V9.1 毫欧 @ 20A,10V3.5V @ 250µA56 nC @ 10 V±20V2050 pF @ 50 V-5W(Ta),56.8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
TO-263 (D2Pak)
SUM70090E-GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Vishay Siliconix
1,600
现货
1 : ¥13.01000
剪切带(CT)
800 : ¥7.26198
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V50A(Tc)7.5V,10V8.9 毫欧 @ 20A,10V4V @ 250µA50 nC @ 10 V±20V1950 pF @ 50 V-125W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
SUP90330E-GE3
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB
Vishay Siliconix
470
现货
1 : ¥13.09000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V35.8A(Tc)7.5V,10V37.5 毫欧 @ 12.2A,10V4V @ 250µA32 nC @ 10 V±20V1172 pF @ 100 V-125W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔TO-220ABTO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM90330E-GE3
MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Vishay Siliconix
515
现货
1 : ¥13.41000
剪切带(CT)
800 : ¥7.24216
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V35.1A(Tc)7.5V,10V37.5 毫欧 @ 12.2A,10V4V @ 250µA32 nC @ 10 V±20V1172 pF @ 100 V-125W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM40010EL-GE3
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Vishay Siliconix
4,847
现货
1 : ¥22.60000
剪切带(CT)
800 : ¥13.65681
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V120A(Tc)4.5V,10V1.6 毫欧 @ 30A,10V2.5V @ 250µA230 nC @ 10 V±20V11155 pF @ 30 V-375W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
SUP10250E-GE3
MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
Vishay Siliconix
273
现货
1 : ¥22.60000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)250 V63A(Tc)7.5V,10V-4V @ 250µA88 nC @ 10 V±20V--375W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔TO-220ABTO-220-3
TO-220AB
SUP40010EL-GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Vishay Siliconix
107
现货
1 : ¥23.17000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V120A(Tc)4.5V,10V1.8 毫欧 @ 30A,10V2.5V @ 250µA230 nC @ 10 V±20V11155 pF @ 30 V-375W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔TO-220ABTO-220-3
TO-252
SUD70090E-GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Vishay Siliconix
3,944
现货
1 : ¥12.36000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.55870
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V50A(Tc)7.5V,10V8.9 毫欧 @ 20A,10V4V @ 250µA50 nC @ 10 V±20V1950 pF @ 50 V-125W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK SO-8
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,980
现货
1 : ¥14.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.63438
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V35.4A(Tc)7.5V,10V31.9 毫欧 @ 10A,10V4V @ 250µA38 nC @ 10 V±20V1380 pF @ 100 V-104W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
TO-220AB
SUP80090E-GE3
MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
Vishay Siliconix
960
现货
1 : ¥23.90000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)150 V128A(Tc)7.5V,10V9.4 毫欧 @ 30A,10V5V @ 250µA95 nC @ 10 V±20V3425 pF @ 75 V-375W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔TO-220ABTO-220-3
TO-220AB
SUP70090E-GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Vishay Siliconix
511
现货
1 : ¥23.90000
散装
散装
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V50A(Tc)7.5V,10V8.9 毫欧 @ 20A,10V4V @ 250µA50 nC @ 10 V±20V1950 pF @ 50 V-125W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔TO-220ABTO-220-3
PowerPAK 1212-8
SISS98DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.48014
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V14.1A(Tc)7.5V,10V105 毫欧 @ 7A,10V4V @ 250µA14 nC @ 7.5 V±20V608 pF @ 100 V-57W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
TO-252
SUD90330E-BE3
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥12.36000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.09973
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V35.8A(Tc)7.5V,10V37.5 毫欧 @ 12.2A,10V4V @ 250µA32 nC @ 10 V±20V1172 pF @ 100 V-125W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR692DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥13.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.29586
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)250 V24.2A(Tc)7.5V,10V63 毫欧 @ 10A,10V4V @ 250µA30 nC @ 7.5 V±20V1405 pF @ 125 V-104W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7190ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥14.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.63438
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)250 V4.3A(Ta),14.4A(Tc)7.5V,10V102 毫欧 @ 4.3A,10V4V @ 250µA22.4 nC @ 10 V±20V860 pF @ 100 V-5W(Ta),56.8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
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/ 50

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。