TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 单 FET,MOSFET

结果 : 1,820
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYS Integrated Circuits DivisionMicro Commercial CoMicrochip Technology
系列
-Automotive, AEC-Q101CMSHEXFET®OptiMOS®OptiMOS™PowerTrench®SGTSIPMOS®SIPMOS™STripFET™STripFET™ H6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
8 V12 V15 V20 V25 V28 V30 V35 V40 V45 V50 V55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150µA(Ta)13mA(Tj)21mA(Ta)30mA(Ta)30mA(Tc)34mA(Ta)35mA(Ta)40mA(Ta)50mA(Ta)51mA(Ta)53mA(Ta)60mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V0V,10V1.2V,2.5V1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.5V,4V1.8V,10V1.8V,2.5V1.8V,2.7V1.8V,4.5V1.8V,4V1.8V,4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧 @ 9.7A,4.5V11.3 毫欧 @ 3A,4.5V12.3 毫欧 @ 12A,4.5V15 毫欧 @ 7.3A,8V15.5 毫欧 @ 5A,4.5V16 毫欧 @ 7A,4.5V17 毫欧 @ 7.2A,4.5V18 毫欧 @ 4.2A,10V18 毫欧 @ 5.8A,4.5V18 毫欧 @ 6.8A,4.5V18 毫欧 @ 7A,4.5V19 毫欧 @ 7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
400mV @ 1mA(最小)450mV @ 250µA(最小)570mV @ 1mA(典型值)650mV @ 1mA(最小)680mV @ 1mA(典型值)700mV @ 1mA(典型值)700mV @ 250µA(最小)750mV @ 11µA750mV @ 30µA0.8V @ 250µA800mV @ 1mA800mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V210 pC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 5 V0.36 nC @ 10 V0.36 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-8V±5V+6V,-8V8V±8V+10V,-20V10V±10V12V±12V±15V+16V,-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4.5 pF @ 5 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.5 pF @ 10 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7.4 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V7.8 pF @ 3 V9.1 pF @ 3 V9.5 pF @ 10 V9.5 pF @ 25 V
FET 功能
-标准耗尽模式
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)200mW200mW(Ta)200mW(Tc)225mW225mW(Ta)230mW(Tc)250mW(Ta)250mW(Tc)265mW(Ta)265mW(Ta),1.33W(Tc)270mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 110°C(TA)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)125°C(TJ)150°C150°C(TA)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101
供应商器件封装
3-CP3-CPH3-MPAKMINI3-G3-BMicro3™/SOT-23PG-SC59-3PG-SOT-23-3PG-SOT23PG-SOT23-3PG-SOT23-3-5PG-SOT23-3-901PG-SOT23-PO
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
1,820结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 1,820
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
48,875
现货
1 : ¥1.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.25974
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V190mA(Ta),300mA(Tc)5V,10V4.5 欧姆 @ 100mA,10V2.1V @ 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW(Ta),1.33W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
392,748
现货
1 : ¥1.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27545
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V115mA(Ta)5V,10V7.5 欧姆 @ 50mA,5V2.5V @ 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BC817-16-TP
BSS138-TP
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Micro Commercial Co
38,654
现货
1 : ¥1.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.28564
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)50 V220mA(Tj)4.5V,10V3.5 欧姆 @ 220mA,10V1.5V @ 1mA-±20V60 pF @ 25 V-350mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
41,296
现货
1 : ¥1.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.28670
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)50 V200mA(Ta)10V3.5 欧姆 @ 220mA,10V1.5V @ 250µA-±20V50 pF @ 10 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
2,259
现货
1 : ¥1.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29578
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V320mA(Ta)4.5V,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2.3V @ 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
1,193
现货
1 : ¥1.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29578
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V380mA(Ta)5V,10V2 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 1mA0.3 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 25 V-370mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
728,780
现货
1 : ¥1.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.31030
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)50 V180mA(Ta)10V7.5 欧姆 @ 100mA,10V2.1V @ 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW(Ta),1.14W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
515,844
现货
1 : ¥1.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32117
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V260mA(Ta)4.5V,10V2.5 欧姆 @ 240mA,10V2.5V @ 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW(Tj)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,289,103
现货
1 : ¥1.95000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.25683
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V360mA(Ta)10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2.4V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,161,637
现货
1 : ¥1.95000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33369
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V360mA(Ta)10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2.4V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q100表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
582,883
现货
6,000
工厂
1 : ¥1.95000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32480
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V350mA(Ta)2.5V,10V2.8 欧姆 @ 250mA,10V1.5V @ 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
374,613
现货
1 : ¥1.95000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33388
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)50 V130mA(Ta)5V10 欧姆 @ 100mA,5V2V @ 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
57,762
现货
1 : ¥1.95000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32480
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V260mA(Ta)4.5V,10V2.5 欧姆 @ 240mA,10V2.6V @ 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SBA120CS-AUR1A1XXX
RUC002N05HZGT116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
1,154
现货
1 : ¥1.95000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32661
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)50 V200mA(Ta)1.2V,4.5V-1V @ 1mA-±8V25 pF @ 10 V-350mW(Ta)150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SST3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
886,843
现货
1 : ¥2.03000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.34095
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V360mA(Ta)10V1.6 欧姆 @ 300mA,10V1.5V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW(Ta),1.14W(Tc)-55°C ~ 150°C(TA)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
919,709
现货
1 : ¥2.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36818
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V350mA(Ta)10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2.1V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW(Ta)150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
393,240
现货
1 : ¥2.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36656
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V115mA(Tc)5V,10V7.5 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
271,248
现货
1 : ¥2.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36292
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V170mA(Ta)10V6 欧姆 @ 170mA,10V2V @ 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
890,929
现货
1 : ¥2.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38650
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V300mA(Ta)4.5V,10V2 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
738,127
现货
1 : ¥2.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38631
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V300mA(Tc)10V5 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW(Ta)-65°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
251,167
现货
1 : ¥2.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38650
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V300mA(Ta)4.5V,10V2 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
161,289
现货
1 : ¥2.44000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.40555
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V150mA(Ta)10V6 欧姆 @ 120mA,10V2.8V @ 1mA-±20V40 pF @ 25 V-250mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138K-13
MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
410,655
现货
1 : ¥2.52000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.32941
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)50 V310mA(Ta)10V3.5 欧姆 @ 220mA,10V1.5V @ 250µA0.95 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-380mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
240,174
现货
1 : ¥2.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.42823
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计P 通道MOSFET(金属氧化物)50 V130mA(Ta)10V10 欧姆 @ 130mA,10V2V @ 1mA-±20V45 pF @ 25 V-250mW(Tc)-65°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002A-7
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
198,937
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Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V180mA(Ta)5V,10V6 欧姆 @ 115mA,5V2V @ 250µA-±20V23 pF @ 25 V-370mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。