onsemi 单 FET,MOSFET

结果 : 6,222
系列
-*Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, UltraFET™DUAL COOL®Dual Cool™Dual Cool™, PowerTrench®Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™FETKY™FRFET ®, UniFET™FRFET®FRFET®, QFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
8 V10 V12 V16 V20 V24 V25 V28 V30 V35 V40 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
70mA(Ta)100mA(Ta)100mA(Tj)115mA(Ta)115mA(Tc)120mA(Ta)127mA(Ta)130mA(Ta)150mA(Ta)150mA(Tj)154mA(Tj)170mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0.9V,2.5V1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.5V,4V1.65V,4.5V1.7V,4.5V1.8V,10V1.8V,2.5V1.8V,4.5V1.8V,4V2V,2.8V2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.4 毫欧 @ 50A,10V0.42 毫欧 @ 50A,10V0.45 毫欧 @ 50A,10V0.48 毫欧 @ 50A,10V0.49 毫欧 @ 50A,10V0.52 毫欧 @ 30A,10V0.52 毫欧 @ 50A,10V0.53 毫欧 @ 50A,10V0.55 毫欧 @ 80A,10V0.56 毫欧 @ 64A,10V0.57 毫欧 @ 30A,10V0.57 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)600mV @ 250µA(最小)720mV @ 250µA800mV @ 1mA800mV @ 250µA850mV @ 250µA900mV @ 1mA900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.06V @ 250µA1.1V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.31 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 4.5 V0.81 nC @ 5 V0.84 nC @ 10 V0.9 nC @ 10 V0.9 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V1 nC @ 5 V1.1 nC @ 10 V1.1 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-20V-8V±5V+5.5V,-0.3V±6V8V±8V±9V+10V,-8V±10V±12V±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6.2 pF @ 10 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7.4 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V9.5 pF @ 10 V11 pF @ 10 V12.3 pF @ 15 V12.8 pF @ 15 V13 pF @ 15 V14 pF @ 20 V14 pF @ 25 V
FET 功能
-标准电流检测肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
120mW(Ta)121mW(Ta)125mW(Ta)150mW(Ta)155mW(Ta)170mW(Ta)178mW(Ta)200mW(Ta)200mW(Tc)225mW(Ta)250mW(Ta)280mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 125°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-25°C ~ 150°C(TJ)125°C(TJ)150°C150°C(TA)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
3-CP3-CPH3-MCPH3-SPA3-SSFP3-XDFN(0.42x0.62)3-XLLGA(0.62x0.62)4-ECSP10084-ICEPAK - B1 PAD(4.8x3.8)4-ICEPAK - E1 PAD(6.3x4.9)4-PLLP(6.2x5.2)4-PQFN(8x8)
封装/外壳
3-SMD,扁平引线3-SMD,扁平引线3-XFDFN3-XFLGA4-DFN4-ICEPAK4-PowerTSFN4-UFBGA,WLCSP4-UFDFN4-XFBGA4-XFBGA,FCBGA4-XFBGA,WLCSP
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
2,259
现货
1 : ¥1.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29578
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V320mA(Ta)4.5V,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2.3V @ 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
515,844
现货
1 : ¥1.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32117
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V260mA(Ta)4.5V,10V2.5 欧姆 @ 240mA,10V2.5V @ 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW(Tj)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
57,762
现货
1 : ¥1.95000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32480
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V260mA(Ta)4.5V,10V2.5 欧姆 @ 240mA,10V2.6V @ 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
393,240
现货
1 : ¥2.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36656
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V115mA(Tc)5V,10V7.5 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
421,094
现货
1 : ¥2.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.44639
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)25 V220mA(Ta)2.7V,4.5V4 欧姆 @ 400mA,4.5V1.06V @ 250µA0.7 nC @ 4.5 V±8V9.5 pF @ 10 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC−75-3_463
NTA7002NT1G
MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
onsemi
260,945
现货
1 : ¥2.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.46454
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V154mA(Tj)2.5V,4.5V7 欧姆 @ 154mA,4.5V1.5V @ 100µA-±10V20 pF @ 5 V-300mW(Tj)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-75,SOT-416SC-75,SOT-416
SOT-723_631AA
NTK3043NT1G
MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723
onsemi
47,797
现货
1 : ¥2.76000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.49888
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V210mA(Ta)1.65V,4.5V3.4 欧姆 @ 10mA,4.5V1.3V @ 250µA-±10V11 pF @ 10 V-310mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-723SOT-723
SOT-23-3
BSS138K
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
26,171
现货
1 : ¥2.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50093
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)50 V220mA(Ta)1.8V,2.5V1.6 欧姆 @ 50mA,5V1.2V @ 250µA2.4 nC @ 10 V±12V58 pF @ 25 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
11,969
现货
1 : ¥2.76000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.41645
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V500mA(Ta)2.5V,4V1.5 欧姆 @ 10mA,4V1.4V @ 250µA1.15 nC @ 5 V±20V21 pF @ 5 V-690mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002K
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
9,703
现货
1 : ¥2.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49411
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V320mA(Ta)4.5V,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2.3V @ 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
NDS7002A
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
onsemi
5,050
现货
1 : ¥2.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49251
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V280mA(Ta)5V,10V2 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA-±20V50 pF @ 25 V-300mW(Ta)-65°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5105PT1G
MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
onsemi
372,950
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51795
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V196mA(Ta)4.5V,10V5 欧姆 @ 100mA,10V3V @ 250µA1 nC @ 5 V±20V30.3 pF @ 25 V-347mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
170,245
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48449
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)50 V220mA(Ta)4.5V,10V3 欧姆 @ 500mA,10V1.6V @ 250µA2.4 nC @ 10 V±20V27 pF @ 25 V-350mW(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
NTR1P02T1G
MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
onsemi
56,452
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77227
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V1A(Ta)4.5V,10V180 毫欧 @ 1.5A,10V2.3V @ 250µA2.5 nC @ 5 V±20V165 pF @ 5 V-400mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-70-3
MMBF2201NT1G
MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
onsemi
45,648
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77742
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V300mA(Ta)4.5V,10V1 欧姆 @ 300mA,10V2.4V @ 250µA-±20V45 pF @ 5 V-150mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-70-3(SOT323)SC-70,SOT-323
PowerTrench Series SC-89-3
FDY302NZ
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
onsemi
6,386
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77099
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
最后售卖N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V600mA(Ta)1.8V,4.5V300 毫欧 @ 600mA,4.5V1.5V @ 250µA1.1 nC @ 4.5 V±12V60 pF @ 10 V-625mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-89-3SC-89,SOT-490
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
255,574
现货
1 : ¥2.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48630
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V170mA(Ta)10V6 欧姆 @ 100mA,10V2.6V @ 1mA-±20V20 pF @ 25 V-225mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-89-3_463C
NTE4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
onsemi
83,459
现货
1 : ¥2.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79411
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V760mA(Tj)1.8V,4.5V360 毫欧 @ 350mA,4.5V1.2V @ 250µA2.1 nC @ 4.5 V±6V156 pF @ 5 V-313mW(Tj)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-89-3SC-89,SOT-490
SOT 23-3
NTR4003NT1G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
258,407
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50809
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V500mA(Ta)2.5V,4V1.5 欧姆 @ 10mA,4V1.4V @ 250µA1.15 nC @ 5 V±20V21 pF @ 5 V-690mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
BSS84LT1G
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
44
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50264
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)50 V130mA(Ta)5V10 欧姆 @ 100mA,5V2V @ 250µA-±20V30 pF @ 5 V-225mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
395,410
现货
1 : ¥3.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52440
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)50 V200mA(Ta)5V3.5 欧姆 @ 200mA,5V1.5V @ 1mA-±20V50 pF @ 25 V-225mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC−75-3_463
NTA4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC75
onsemi
352,070
现货
1 : ¥3.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57673
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V915mA(Ta)1.5V,4.5V230 毫欧 @ 600mA,4.5V1.1V @ 250µA1.82 nC @ 4.5 V±6V110 pF @ 16 V-300mW(Tj)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-75,SOT-416SC-75,SOT-416
SC-89-3_463C
NTE4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
onsemi
139,324
现货
1 : ¥3.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.69664
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V915mA(Ta)1.5V,4.5V230 毫欧 @ 600mA,4.5V1.1V @ 250µA1.82 nC @ 4.5 V±6V110 pF @ 16 V-300mW(Tj)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-89-3SC-89,SOT-490
SOT 23-3
NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
onsemi
73,358
现货
1 : ¥3.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70105
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V1.7A(Ta)4.5V,10V155 毫欧 @ 1A,10V2.5V @ 250µA2.8 nC @ 4.5 V±20V182 pF @ 25 V-900mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4101PT1G
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
onsemi
95,043
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70986
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V1.8A(Ta)1.8V,4.5V85 毫欧 @ 1.6A,4.5V1.2V @ 250µA8.5 nC @ 4.5 V±8V675 pF @ 10 V-420mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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onsemi 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。